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- 更新日期: 2022-03-17
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Yole在報告《2021氮化鎵射頻市場:應(yīng)用、主要廠商、技術(shù)和襯底》中預(yù)測,氮化鎵(GaN)射頻器件市場正以18%的復(fù)合年增長率(CAGR)增長,從2020年的8.91億美元到2026年的24億美元以上。 該市場將由5G電信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用主導(dǎo),到2026年分別占整個市場的49%和41%。特別是,基于氮化鎵的宏/微蜂窩領(lǐng)域?qū)⒃?026年占氮化鎵電信基礎(chǔ)設(shè)施市場的95%以上。 相對于第一代(硅基)半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大,電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高,其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等