遮天,怎么写网络小说,有声读物

更新日期： 2022-03-17
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場效應管和 MOS管有什么區別嗎？ ??場效應管一般分為MOS場效應管和結型場效應管。目前主要使用的是MOS場效應管，俗稱 MOS管。MOS是金屬-氧化物-半導體的簡稱，即柵-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“結”，表示PN結的結。FET代表Field Effect Transistor，即場效應……

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貼片三極管的作用是什么？

更新日期： 2022-03-17
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貼片三極管的作用是什么？ ??產品質量檢驗： ??(1)測量極間電阻。將萬用表置于R×100或R×1K擋，根據紅黑兩種表筆的六種不同連接方式進行測試。其中，發射結和集電結的正向電阻值相對較低，其他四個接法測得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無窮大。然而，無論是低電阻……

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為什么MOS管容易發熱？

更新日期： 2022-03-17
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為什么 MOS管容易發熱？ ??在設計電源或驅動電路時，不可避免地要用到FET，也就是俗稱的MOS晶體管。 MOS管的種類很多，功能也很多。使用電源或驅動，當然是利用它的開關功能。接下來我們來了解一下MOS管加熱的五大關鍵技術。 ??1.芯片加熱 ??本內容主要針對內置功率調制器的高壓驅動芯片。如果芯片……

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薩科微開關電源拓撲結構圖基礎型介紹（5）

更新日期： 2022-03-17
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要適當地選擇拓撲，熟悉不同拓撲的優缺點和應用領域非常重要。錯誤的選擇會讓飲食設計從一開始就注定失敗。開關電源拓撲結構大致給可總結為大概14種，其他的電源開關拓撲結構圖無外乎是這14種的組合或變形，下面整理了兩種基礎型拓撲結構圖幫助系統掌握每種電路結構的工作原理與基本特性。一、Half-Bridge ……

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薩科微關于基礎型開關電源拓撲結構圖的介紹（4）

更新日期： 2022-03-17
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市場上開關電源的拓撲結構圖是多種多樣的，但經過總結整理不難發現，其實無非就只有14種，其他的無外乎是這14種拓撲結構圖的組合或變形，接下來給大家分享兩種開關電源的拓撲結構圖。一、Forward 正激特點： ■降壓電路的變壓器耦合形式。 ■不連續的輸入電流，平滑的輸出電流。 ……

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MOS管和三極管的功能差異

更新日期： 2022-03-17
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MOS管和三極管的功能差異 ??MOS晶體管和三極管？的功能區別是什么這兩個元件本身可以看作是一個基本單元和一個獨立的器件。即使把外殼拆開，肉眼也看不出有什么區別，從工作原理上理解起來很混亂。 ??如果你用手同時觸摸 MOS管的G極(柵極)和正電源極，LED燈就會發光，即使你松開手，它也會繼續發光。至于為什么會出現這種情況，可以簡單理解為當G極的電位升高時，D極(漏極)和S極之間會形成一個導電通道(源極)，相當于一根導線。 ??導通時D極和S極之間的壓降也可以用萬用表量，計算，壓降接近

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什么是MOS管？MOS管的功能和特點又是什么呢?

更新日期： 2022-03-17
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什么是 MOS管？ MOS管的功能和特點又是什么呢? ??MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種基于場效應原理工作的半導體器件。與普通雙極型晶體管相比，FET具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗低、易于集成等特點，得到了越來越廣泛的應用。 ??場效應管 ??場效應晶體管有很多種，主要分為結型場……

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薩科微基礎型電源開關拓撲結構圖分享（3）

更新日期： 2022-03-17
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開關電源拓撲結構圖千變萬化，但不管如何變化基本是基于基礎型電源拓撲結構圖的組合或變形，基礎型開關電源拓撲結構圖歸納起來基本是14種，接下來就個大家做一下介紹。二、基本的脈沖寬度調制波形這些拓撲結構都與開關式電路有關，基本的脈沖寬度調制波形定義如下：八、Tw……

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四個氮化鎵在新應用領域下的機遇！

更新日期： 2022-03-17
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2021年，隨著5G、消費電子、工業能源轉換和新能源汽車需求的增加，基站、換能器和充電站的需求將大幅增加，對氮化鎵和碳化硅饋線的需求將增加。據 TrendForce集邦咨詢研究顯示，GaN功率元件至2025年市場規模將達 13.2億美元，年復合成長率高達 94%。新應用下，氮化鎵的“革命”！……

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如何正確選擇mosfet場效應管

更新日期： 2022-03-17
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如何正確選擇mosfet 場效應管 ??場效應晶體管廣泛應用于模擬電路和數字電路，與我們的生活息息相關。場效應管的優點是：第一，驅動電路相對簡單。場效應管所需的驅動電流比BJT的小得多，通常可以直接由CMOS或開路集電極TTL電路驅動。場效應晶體管的開關速度相對較快，由于沒有電荷存儲效應，可以以更高的速度工作。此外，……

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IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？

更新日期： 2022-03-17
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IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？怎么區別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點進行分析。 1.結構上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。2.原則上， IGBT相當于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導通電阻，但同時也會引入拖尾電流等問題。 3.從產品來看， IGBT一般用于高壓電源產品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應用電壓相對較低，從10伏到1000伏左右。公司電話

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