日前，集設計、研發、生產和全球銷售一體的[敏感詞]功率半導體、芯片及數字電源產品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL) 推出采用優化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標準的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM033V120X2Q。這款1200V 碳化硅MOS管為可接受15V標準柵極驅動器的TO-247-4L車規封裝，并提供行業內領先的[敏感詞]導通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機、電機驅動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。

隨著電動汽車市場每年以成數百萬個單位的加速發展，汽車制造商正越來越多地實現800V電氣系統，用以減小系統尺寸和重量的同時也延長了EV續航里程距離，并顯著提高其充電速度。AOS 1200V車規級αSiC MOSFET專為這些苛刻的應用要求而設計，與傳統的硅器件相比，具有卓越的開關性能和效率。

AOM033V120X2Q是1200V / 33mΩ SiC MOS管，其在我們的第二代αSiC MOSFET平臺的基礎上，采用TO-247-4L優化封裝。與標準3腳封裝不同，使用額外的開爾文源極(Kelvin Source)感測引腳可降低封裝內部回路上的寄生電感，使得該器件能夠在更高的開關頻率下工作。與標準封裝相比，開關損耗最多可降低75％。其柵極驅動電壓僅為15V，可以使柵極驅動器具有最廣泛的兼容性，從而易于在各種系統設計中采用。此外，αSiC MOSFET在高溫175°C下導通電阻的增加非常小，大幅度地降低功率損耗并進一步提高效率。

“為了持續推進電動汽車技術取代傳統內燃機為主的交通運輸工具，汽車制造商正在努力擴大續航里程并縮短充電時長。隨著我們發布符合車規驗證標準資格的1200V αSiC MOSFET，AOS可以為設計人員提供更先進的下一代半導體技術，以提高效率達成能效目標”。AOS寬禁帶產品高級總監David Sheridan表示，“由于產品性能，可靠性和具有批量生產能力的供應鏈相結合，我們的客戶選擇了我們的技術”。

αSiC MOSFET產品組合將于今年下半年擴展，包括更廣泛的靜態導通電阻和更多封裝選項，以及更多通過AEC-Q101車規驗證標準資格的產品，請您拭目以待。

技術亮點

• 通過AEC-Q101車規驗證標準資格，且提供汽車產業供應鏈中使用的質量保證程序PPAP報告；

• [敏感詞]工作結溫175°C；

• 低導通電阻且不易受溫度影響；

• 低Qrr和高可靠的寄生二極管；

• 使用額外的開爾文源極(Kelvin Source)感測引腳以實現快速低損耗切換；

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