可重構的憶阻器存算一體架構

在不同的網(wǎng)絡模型中，數(shù)據(jù)流的模式有所不同。例如，卷積神經(jīng)網(wǎng)絡（convolutional neural network, CNN）中的數(shù)據(jù)在網(wǎng)絡層之間單向流動，長短期記憶網(wǎng)絡（long short-term memory, LSTM）所處理的時間數(shù)據(jù)需要在不同的時間步循環(huán)通過同一網(wǎng)絡層，概率圖模型（probabilistic graphical model）中概率采樣在網(wǎng)絡層之間往復進行。團隊提出了一種TNSA架構，包含負責模擬計算的憶阻器陣列和負責模數(shù)轉換與激活的CMOS神經(jīng)元電路，二者組成交錯核心（interleaved corelet）。CMOS神經(jīng)元與憶阻器陣列交叉排布，通過具有開關控制的共享位線（bit-line, BL）、字線（word-line, WL）在行、列方向互聯(lián)，在節(jié)約面積、能耗的同時，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)流的靈活控制。通過合理選擇權重映射方案，充分利用48個核心的數(shù)據(jù)并行和模型并行，可以將推理任務的吞吐率[敏感詞]化。

高效的電壓模神經(jīng)元電路

傳統(tǒng)的憶阻器陣列通常采用電流模方案：基于歐姆定律，輸入為電壓值，計算結果通過輸出電流體現(xiàn)。然而，同時開啟多行器件會導致過大的陣列電流，從而限制“列并行性”；調(diào)整ADC以適應輸出的動態(tài)范圍需要多個時鐘周期，從而限制“行并行性”。電壓模方案可以顯著提升計算并行度和能效比。在電壓模方案中，輸出信號線浮空，其電壓值為輸入信號線電壓的加權平均。本工作提出的神經(jīng)元電路利用采樣電容存儲輸出信號線的電荷、利用積分電容實現(xiàn)結果累加。電壓模神經(jīng)元電路有效降低外圍電路的面積和功耗，自動實現(xiàn)動態(tài)范圍歸一化，并通過整合模數(shù)轉換與激活功能實現(xiàn)緊湊設計，極大提升能量、面積效率，提高計算吞吐率。

硬件-算法的協(xié)同優(yōu)化方案

現(xiàn)有研究的實驗結果通常是在軟件中加入器件特性而仿真獲得的，在軟件仿真中忽略某些非理想特性會使預測結果過分樂觀。與之前工作不同的是，本文報道的結果均在硬件上測量獲得。硬件-算法的協(xié)同優(yōu)化方案包含模型驅動芯片校準技術（model-driven chip calibration）、抗噪聲網(wǎng)絡訓練與模擬權重編程技術（noise-resilient neural-network training and analogue weight programming）、環(huán)漸進式模型微調(diào)技術（chip-in-the-loop progressive model fine-tuning）。模型驅動芯片校準技術利用真實的權重與輸入數(shù)據(jù)，對輸入電壓幅度、ADC偏移量等條件進行校準；抗噪聲網(wǎng)絡訓練與模擬權重編程技術采用添加高斯噪聲的非量化權重訓練網(wǎng)絡，并在憶阻器陣列中直接存儲高精度的權值，提升權重存儲密度與推理準確率；環(huán)漸進式模型微調(diào)技術通過每次僅部署一層網(wǎng)絡權重，并利用硬件的輸出結果，在軟件上對后續(xù)網(wǎng)絡層進行訓練，從而對當前編程層的非理想性進行補償。

NeuRRAM系統(tǒng)具有數(shù)據(jù)流可重構的TNSA架構、電壓模神經(jīng)元電路、算法-硬件協(xié)同優(yōu)化方案，在多個人工智能任務中實現(xiàn)了與軟件結果相當?shù)耐评頊蚀_率。通過在全部硬件設計層次上進行創(chuàng)新，NeuRRAM提高了現(xiàn)有憶阻器存算一體系統(tǒng)的能效、靈活性和準確性，其優(yōu)化思路可以廣泛應用于其他非易失存儲器的設計中。隨著阻變存儲器的內(nèi)存容量不斷增加，這種協(xié)同優(yōu)化方案將顯著提升邊緣設備的性能、效率和通用性，讓云端任務在邊緣端的部署成為可能。

該項成果由清華大學、斯坦福大學與UCSD合作完成，清華大學集成電路學院的吳華強教授和高濱教授是本文的共同通訊作者。集成電路高精尖創(chuàng)新中心工程師吳大斌與清華大學集成電路學院已畢業(yè)博士生章[敏感詞]參與完成了主要電路設計、器件優(yōu)化與芯片集成工藝的研究工作。清華大學錢鶴、吳華強團隊長期從事憶阻器存算一體技術的相關研究，在器件集成和芯片設計等方面取得了多項突破性進展，曾在2020年ISSCC上發(fā)表了國際[敏感詞]基于模擬型憶阻器的全系統(tǒng)集成存算一體芯片，并在同年《自然》期刊發(fā)表了國際[敏感詞]多憶阻器陣列的存算一體芯片，并在持續(xù)探索先進工藝下的憶阻器集成技術。



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