據(jù)《無錫日?qǐng)?bào)》報(bào)道，10月7日，有19個(gè)集成電路重大項(xiàng)目落戶無錫，總投資達(dá) 303.4億 元，其中包括 基本半導(dǎo)體 和 晶湛半導(dǎo)體 的2個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。        

基本半導(dǎo)體：

總部項(xiàng)目簽約

據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體簽約建設(shè) 車規(guī)級(jí) 第三代半導(dǎo)體研發(fā)制造總部項(xiàng)目。
     “三代半風(fēng)向”此前報(bào)道提到，該項(xiàng)目正在建設(shè)當(dāng)中，預(yù)計(jì)2021年底通線，2022年中進(jìn)入量產(chǎn) 。     除了該項(xiàng)目外，基本半導(dǎo)體還有3個(gè)產(chǎn)線建設(shè)正在開展：   ▲南京浦口制造基地已于2020年3月開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年底通線，主要進(jìn)行 碳化硅外延片 的工藝研發(fā)和制造；   ▲北京亦莊共建的 6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線 將于今年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；   ▲深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地已于2020年底開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2023年投產(chǎn)，年產(chǎn)能將達(dá) 200萬(wàn)只碳化硅器件 。

晶湛半導(dǎo)體：

氮化鎵外延項(xiàng)目落戶

同時(shí)，晶湛半導(dǎo)體的 氮化鎵外延材料 研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目也簽約落戶無錫。具體項(xiàng)目信息尚待公布。   除了該項(xiàng)目外，2021年3月，蘇州工業(yè)園區(qū)還公示了“晶湛半導(dǎo)體的新建氮化鎵外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目環(huán)評(píng)文件”。該項(xiàng)目擬投資 2.5億 元，建成后年產(chǎn)氮化鎵外延片產(chǎn)品 50萬(wàn)片 。     據(jù)晶湛官網(wǎng)，2014年底，晶湛率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品。截至目前，晶湛已完成A+輪融資，用于擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月產(chǎn)能達(dá) 1萬(wàn)片 。目前，晶湛已擁有全球超過150家的[敏感詞]半導(dǎo)體公司、研究院所客戶。    而前不久，晶湛半導(dǎo)體還展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，為采用主流的 12英寸CMOS 生產(chǎn)線制造GaN HEMT晶體管鋪平了道路 。

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