據(jù)報道，受臺積電、三星等代工廠積極擴產(chǎn)疊加技術路線演進的影響，半導體設備需求大幅增長。SEMI近日在其全球半導體設備市場統(tǒng)計（WWSEMS）報告中宣布，2021年[敏感詞]季度全球半導體設備的銷售額同比增長51%，比上一季度增長21%，達到236億美元。我們認為受供需結(jié)構(gòu)向好及行業(yè)景氣度上行的推動，產(chǎn)業(yè)鏈公司將持續(xù)受益。
2020 年大陸半導體設備市場位列全球[敏感詞]
制造是半導體產(chǎn)業(yè)最關鍵、市場份額[敏感詞]的環(huán)節(jié)，而設備和材料是半導體制造的基石。隨著國內(nèi)半導體制造環(huán)節(jié)銷售額占整體半導體產(chǎn)業(yè)鏈比重逐年提升，用于半導體制造的設備和材料市場也向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。
受益于國內(nèi)疫情控制有效，以及政策、資本支持，2020 年中國大陸半導體設備銷售額達 181 億美元，同比+35%，超越中國臺灣位列全球[敏感詞]。材料銷售額達 98 億美元，同比+12%，超越韓國位列全球第二。由于設備和材料一定程度上是晶圓制造的景氣程度的先導指標，因此未來國內(nèi)半導體制造市場還將繼續(xù)擴張。
半導體設備企業(yè)業(yè)績高速增長 受益于行業(yè)高景氣度延續(xù)以及國產(chǎn)替代持續(xù)推進，以北方華創(chuàng)、中微公司、華峰測控、長川科技、精測電子、至純科技、芯源微為代表的半導體設備企業(yè)2020 年及 2021 年一季度收入及凈利潤均實現(xiàn)高速增長。尤其是2021年[敏感詞]季度，凈利潤增速同比超過100%。
眾多細分領域?qū)崿F(xiàn)突破，國產(chǎn)替代進程加速 國內(nèi)半導體設備行業(yè)起步較晚，總體營業(yè)規(guī)模上與海外巨頭差距較大，但近年來國內(nèi)企業(yè)不斷加大投入，在技術上不斷做出關鍵性的突破，打破了許多領域的空白，部分細分市場已開始實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
例如：刻蝕機方面：中微公司研發(fā)已到達 5nm 的技術節(jié)點，處于國際領先水平；薄膜沉積設備方面：北方華創(chuàng)已達到 14/28nm 的技術節(jié)點；清洗設備方面：至純科技打入了中芯國際、華虹等企業(yè)的供應鏈；測試機方面：華峰測控入了日月光、意法半導體等國際封測龍頭的供應鏈。
中微公司 國內(nèi)[敏感詞] 7nm/5nm 刻蝕技術設備商
目前公司等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米的集成電路加工制造及先進封裝。其中 7nm/5nm 刻蝕技術為國內(nèi)[敏感詞]。并以獲得批量訂單。 此外，中微公司從 2010 年開始開發(fā)用于 LED 外延片加工中最關鍵的設備——MOCVD 設備，目前已開發(fā)了三代 MOCVD 設備，可用于藍綠光 LED、功率器件等加工，包括：[敏感詞]代設備 Prismo D-Blue、第二代設備 PrismoA7 及正在開發(fā)的第三代 30 英寸大尺寸設備。
市占率加速提升
從本土存儲及邏輯 IC 制造廠商的招標情況來看，中微公司整體采購比例超過 15%，是進入主流存儲、Foundry 廠商[敏感詞]的本土半導體刻蝕設備供應商。同時，公司在本土市場的市占率加速提升，以在長江存儲的中標情況來看，2020年至今已達 9 臺，占同期招標比例的 22%。
長川科技
研發(fā)力度不斷加大，核心技術實現(xiàn)突破
2020H1 公司研發(fā)投入達 0.89 億元，同比增長110%。收入占比達 28%。并取得重點研發(fā)進展。
主要包括：自主開發(fā)基于 1024 個數(shù)字通道、200Mbps 數(shù)字測試速率、1G 向量深度以及 128A 電流測試能力的數(shù)字測試機 D9000，打破數(shù)字測試機國內(nèi)空白；開發(fā)國內(nèi)首臺自主知識產(chǎn)權 8/12 寸全自動超精密探針臺，可應用于 SOC、Logic、Memory、Discrete 等，目前已在客戶端進行 Demo，二代產(chǎn)品在研；模組自動化測試裝備批量導入國內(nèi)主流廠商，完成國際一流終端客戶最終認證。
定增助推探針臺快速產(chǎn)業(yè)化和國產(chǎn)化
2020年，公司擬通過定增募集資金 3.72 億元，用于探針臺研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。本次探針臺募投項目所研發(fā)的產(chǎn)品為公司第二代全自動超精密探針臺，兼容 8/12 寸晶圓測試，產(chǎn)品細分包括 CP12-SOC/CIS、CP12-Memory、CP12-Discrete、CP12-SiC/GaN 等，分別可應用于 SOC/CIS、 Memory、 Discrete、 第 3 代化合物半導體等集成電路的測試。
目前，全新第二代探針臺研發(fā)項目已完成關鍵技術模塊的開發(fā)和驗證，現(xiàn)處于內(nèi)部整機測試階段。全球探針臺主要被東京精密和 TEL 壟斷，在少數(shù)國產(chǎn)探針臺供應商中，長川最有希望率先實現(xiàn)國產(chǎn)化。
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