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意法半導體造出世界首批8吋碳化硅晶圓

發布時間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:1909

意法半導體(ST)11 日宣布,瑞典Norrköping 工廠制造出首批8 吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圓;將SiC 晶圓升級到8 吋代表ST 對汽車和工業客戶的擴產計劃獲得階段性成功,且提升功率電子芯片輕量化和能效,并降低客戶獲取產品成本。

意法半導體汽車和離散元件產品部總裁Marco Monti表示,汽車和工業市場正在加速推動系統和產品電氣化的進程,升級到8 吋SiC 晶圓將為ST 的汽車和工業客戶帶來巨大優勢;藉由覆蓋在SiC 生態系統領域累積的深厚專業知識,可提升ST 的制造彈性,還能更有效地控制晶圓良率和改善品質。

ST 先進的量產碳化硅STPOWER SiC 目前由意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6 吋晶圓廠完成前段制程制造,后段制程制造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。這個階段性的成功是ST 布局更先進、高成本效益之8 吋SiC量產計劃的一部分;ST 正在執行新建碳化硅基板廠和內部采購碳化硅基板比重超過40% 的計劃(到2024 年)。

據悉,ST 首批8 吋SiC 晶圓品質十分優良,對芯片良率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。低缺陷率歸功于ST 碳化硅公司(前身為Norstel,2019年被ST 收購)在SiC 硅錠生長技術深厚積累的研發技術。除了晶圓能滿足嚴格的品質標準,升級到8 吋SiC 晶圓還需要對制造設備和支援生態系統的升級,ST 正與供應鏈上下游技術廠商合作研發專屬的制造設備和生產制程。






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