今天分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動電路，都用過嗎？

1、IC直接驅(qū)動型

這種電源IC的直接驅(qū)動是最常見、最簡單的驅(qū)動方式。

圖1 IC直接驅(qū)動MOS柵極

使用這種方法，我們應(yīng)該注意幾個參數(shù)及其影響。

首先查看電源IC手冊，了解[敏感詞]峰值驅(qū)動電流，因?yàn)椴煌腎C芯片具有不同的驅(qū)動能力。

其次，檢查MOSFET的寄生電容，如圖中的C1、C2和C3，如果容值較大，導(dǎo)通MOS管所需的能量也比較大。如果電源IC沒有足夠的峰值驅(qū)動電流，晶體管將以較慢的速度開啟。

如果驅(qū)動能力不足，上升沿可能會出現(xiàn)高頻振蕩，即使減小圖1中的Rg也無法解決問題！而IC驅(qū)動能力、MOSFET寄生電容、MOSFET開關(guān)速度等因素，也會影響驅(qū)動電阻的選擇，所以Rg不能無限減小。

2、圖騰柱電路增強(qiáng)驅(qū)動

該驅(qū)動電路的作用是增加電流供應(yīng)能力，快速完成柵極電容輸入的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿碎_通所需的時間，但減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能夠快速開通，避免上升沿的高頻振蕩。

圖2 圖騰柱電路增強(qiáng)驅(qū)動

3、驅(qū)動電路加速MOS管的關(guān)斷

在關(guān)斷的瞬間，驅(qū)動電路可以提供盡可能低阻抗的通路，使MOSFET的柵極和源極之間的電容快速放電，保證開關(guān)管可以快速關(guān)斷。

為了保證柵源極間電容C2的快速放電，在Rg1上并聯(lián)了一個Rg2和一個二極管D1。

其中D1通常采用快恢復(fù)二極管，縮短了關(guān)斷時間并降低了關(guān)斷損耗；Rg2的作用是防止電源IC在關(guān)斷時因電流過大而燒壞。

圖3 加速MOS管關(guān)斷電路

圖騰柱電路也可以加速關(guān)斷，當(dāng)電源IC的驅(qū)動能力足夠時，圖2中的電路可以改進(jìn)為下圖這種形式。

圖4 改善型加速MOS管關(guān)斷電路

用三極管釋放GS電容的電是很常見的，如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，PNP晶體管導(dǎo)通時柵極與源極之間的電容會短路，可以在最短的時間內(nèi)實(shí)現(xiàn)放電，[敏感詞]限度地減小關(guān)斷時的交叉損耗。

圖4，因?yàn)?a target="_blank" title="三極管" href="http://m.xjgouwu.cn/products/triode.html">三極管的存在，柵極和源極之間電容電流不會直接通過電源IC放電，提高了電路可靠性。

4、變壓器驅(qū)動電路加速MOS管的關(guān)斷

為了滿足驅(qū)動高邊MOS管的要求，如圖5所示，通常使用變壓器驅(qū)動器，有時也用于安全隔離。

使用R1的目的是抑制PCB板上的寄生電感與C1形成LC振蕩，其設(shè)計(jì)目的是隔離直流，通過交流，同時防止磁芯飽和。

圖5 高邊MOSFET驅(qū)動電路

免責(zé)聲明：本文轉(zhuǎn)載自“衡麗電子”，本文僅代表作者個人觀點(diǎn)，不代表薩科微及行業(yè)觀點(diǎn)，只為轉(zhuǎn)載與分享，支持保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請注明原出處及作者，如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。

公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經(jīng)理  

QQ：332496225   丘經(jīng)理

地址：深圳市龍華新區(qū)民治大道1079號展滔科技大廈C座809室