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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記5:車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊可靠性標(biāo)準(zhǔn)

發(fā)布時(shí)間:2023-02-16作者來(lái)源:薩科微瀏覽:4930

功率半導(dǎo)體的車規(guī)可靠性標(biāo)準(zhǔn)比較多,主要有美國(guó)汽車電子委員會(huì)的AEC標(biāo)準(zhǔn)(主要是針對(duì)晶圓)和歐洲電力電子中心的AQG324(針對(duì)模塊)。今天主要復(fù)習(xí)AQG324這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。

先討論一個(gè)工程邏輯:任何一個(gè)新產(chǎn)品,在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)該考慮其使用的可靠性,設(shè)計(jì)有缺陷,后期工藝上是很難彌補(bǔ)的,因此,當(dāng)可靠性測(cè)試出現(xiàn)問(wèn)題時(shí),首先要考慮設(shè)計(jì)(產(chǎn)品設(shè)計(jì),工藝設(shè)計(jì))上的問(wèn)題。因此,可靠性測(cè)試實(shí)際上也是對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)的一個(gè)檢驗(yàn)。

電動(dòng)汽車的功率半導(dǎo)體,特別是SiC MOSFET或者Si IGBT模塊,因?yàn)槭怯迷趧?dòng)力心臟---電驅(qū)動(dòng)上;主驅(qū)的工況較為惡劣,一旦出問(wèn)題就會(huì)導(dǎo)致整車失去動(dòng)力,因此其可靠性測(cè)試項(xiàng)目要相比其他汽車電子嚴(yán)格。

歐洲電力電子中心這套標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格說(shuō)不算標(biāo)準(zhǔn);它只是提及到了實(shí)驗(yàn)方法,且只是部分測(cè)試項(xiàng)點(diǎn)給了通過(guò)判定條件;還有一些測(cè)試項(xiàng)點(diǎn)并沒(méi)有給出嚴(yán)格的判斷標(biāo)準(zhǔn);所以一般國(guó)內(nèi)功率器件廠商相對(duì)更多引用行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn),或者有的大型車企自己也會(huì)定一個(gè)相對(duì)更嚴(yán)格的判定條件。

那么一般會(huì)測(cè)哪些內(nèi)容呢?三大類QC/QE/QL。

QC(Qualificationof Characterization)是特性表征測(cè)試;包含模塊產(chǎn)品自身的寄生電感(雜散電感);熱阻;短路能力;絕緣能力;還有一些機(jī)械參數(shù);

所有的QC項(xiàng)目都是非破壞性的,也就是說(shuō);實(shí)驗(yàn)后的樣品,沒(méi)有問(wèn)題的話是可以繼續(xù)使用的。

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QE(Qualificationof Environment)指環(huán)境實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目;包含三項(xiàng):溫度沖擊實(shí)驗(yàn),機(jī)械振動(dòng)實(shí)驗(yàn)和機(jī)械沖擊實(shí)驗(yàn)。QE類實(shí)驗(yàn)全是破壞性的;也就是說(shuō),模塊做完測(cè)試驗(yàn)證合格后,也無(wú)法再進(jìn)行使用了,只能封存或者報(bào)廢。

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QL(Qualification of Lifetime)是壽命實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目,有時(shí)候也叫耐久實(shí)驗(yàn);目的是檢驗(yàn)?zāi)K的工作壽命是否滿足要求;包含7項(xiàng):

PCsec秒級(jí)功率循環(huán);PCmin分鐘級(jí)功率循環(huán);HTSL高溫存儲(chǔ);LTSL低溫存儲(chǔ);HTRB高溫反偏;HTGB高溫柵偏;H3TRB高溫高濕柵偏。

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其中特別值得關(guān)注的是秒級(jí)功率循環(huán)PCsec;其測(cè)試原理是:給芯片通規(guī)定的大電流,讓芯片發(fā)熱,在5s內(nèi)讓芯片依靠自身工作發(fā)的熱,將芯片強(qiáng)行加熱到其[敏感詞]工作溫度,然后瞬間斷電,同時(shí)冷卻水不斷對(duì)模塊進(jìn)行強(qiáng)制冷卻,直到冷卻到溫度差為100℃;然后再繼續(xù)給芯片通電,讓其給自身強(qiáng)制加熱;再?gòu)?qiáng)制冷卻。。。如此反復(fù);至少做XXXXX次。。。

分鐘級(jí)功率循環(huán)原理一樣;不過(guò)把導(dǎo)通時(shí)間規(guī)定變得更長(zhǎng)了。

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這個(gè)項(xiàng)目本身考驗(yàn)很多點(diǎn);其中對(duì)芯片的頂部金屬化層和發(fā)射極鍵合線鍵合點(diǎn)的考驗(yàn)最嚴(yán)苛;鍵合線熱膨脹系數(shù)與芯片表面鋁層熱膨脹系數(shù)不同;芯片熱膨脹系數(shù)與DBC板不同導(dǎo)致的。損傷的結(jié)果主要是綁定線脫落,斷裂,芯片焊層分離。

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資料來(lái)源:姜南博士

個(gè)人認(rèn)為,PC功率循環(huán)是表征模塊可靠性的一個(gè)非常重要的指標(biāo),因?yàn)檫@個(gè)實(shí)驗(yàn)積累的累積損傷模型數(shù)據(jù)很重要;在拿到汽車行駛的工況信息后;可以結(jié)合累積損傷模型和功率譜密度;通過(guò)雨流算法,直接推斷出模塊能否滿足裝車后的駕駛里程壽命(30萬(wàn)公里以上?)。

再來(lái)看其他幾項(xiàng);

HTRB,高溫高壓反偏測(cè)試,測(cè)試IGBT芯片的耐高壓的可靠性。
HTGB,高溫門極應(yīng)力測(cè)試,測(cè)試IGBT芯片門極的耐壓可靠性。
H3TRB,高溫高濕反偏測(cè)試,測(cè)試IGBT芯片在高濕環(huán)境的可靠性。
值得一提的是;如今很多半導(dǎo)體廠商已經(jīng)不滿足于低壓80V下的H3TRB,而是直接將器件兩端的阻斷電壓提升到了80%的Vbr:HV-H3TRB,高壓高溫高濕反偏測(cè)試,這是H3TRB的更嚴(yán)苛版本,因?yàn)楦邼竦谋举|(zhì)是對(duì)芯片鈍化層的一種腐蝕,而高壓會(huì)加速這種腐蝕,這個(gè)測(cè)試非??简?yàn)芯片終端區(qū)和鈍化層的能力。
所以,電動(dòng)汽車電驅(qū)動(dòng)用模塊可靠性測(cè)試主要包括以上測(cè)試項(xiàng)點(diǎn);
個(gè)人認(rèn)為,每個(gè)項(xiàng)點(diǎn)都很重要,但是閱讀排序可以分先后:PCsec,PCmin,HTGB,H3TRB,HTRB,TST,VVF。。。
當(dāng)然,如果產(chǎn)品是一個(gè)系列,那么有許多項(xiàng)目是可以省略掉的;比如一個(gè)新產(chǎn)品只是進(jìn)行了芯片升級(jí);那么只需要做和芯片電相關(guān)的PCsec,PCmin,HTGB,HTRB,H3TRB即可


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