[敏感詞]代半導體Si基
二極管
簡介： 單個PN結(jié)結(jié)構(gòu)，導通和斷開兩種狀態(tài)，不具備放大，單向?qū)ǎ? 無外部電流、電壓控制，就是0和1的狀態(tài)，電壓電流較小。
晶體管：BJT
簡介： 背靠背的PN結(jié)結(jié)構(gòu)，通過電流驅(qū)動實現(xiàn)線性放大功能，具有放大工作區(qū)域，能夠?qū)崿F(xiàn)電流放大作用； 耐壓較高，導通電子較低，能放大電流，但是有拖尾電流，限制了開關(guān)速度。
應用： 放大器電路、驅(qū)動揚聲器、電動機等。
晶體管：MOSFET
簡介： 單個MOS管子，載流子數(shù)量相對IGBT要少、耗盡層區(qū)域小，所以耐壓較低； 單個結(jié)構(gòu)，載流子少，耗盡層區(qū)域小也使得其電流拖尾效應小，因此頻率更高，開關(guān)速度更快。
平面型MOSFET:
溝槽型MOSFET：
超結(jié)型MOSFET：
屏蔽柵MOSFET：
電壓及應用：中低壓＜500V
技術(shù)演變過程
朝著高壓、高頻發(fā)展，器件的小型化提高了工作頻率，降低了導通電子，提高了開關(guān)速率，工藝提升保證了降低芯片面積的同時提高了耐壓特性；
IGBT
簡介：IGBT是由MOSFET和BJT兩個結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成的器件，其中載流子數(shù)量會更多，耗盡層區(qū)域更大，能夠承受更高的電壓閾值；載流子的增多、耗盡層區(qū)域的增大使得電流的拖尾效應增強，所以開關(guān)的速度和頻率更低。
電壓及應用：超低壓IGBT：小于600V，內(nèi)燃機點火器、數(shù)碼相機等消費電子；低壓IGBT：600-1350V， 新能源汽車、UPS電源、白色家電、電焊機、工業(yè)變頻器、太陽能電池；中壓IGBT：1400-2500V，地鐵、城軌電極驅(qū)動、太陽能電池；高壓IGBT：2500-6500V，軌道牽引、智能電網(wǎng)、大型工業(yè)設備。
朝著高壓、低功耗的方向不斷發(fā)展
簡介：晶閘管不具備放大功能，兩個同向的PN結(jié)是沒有線性放大工作區(qū)域的，只有導通、關(guān)斷的功能；體積小、耐高壓，但是需要額外的關(guān)斷電路。
價格
單管價格
? IGBT
? 二極管
? 三極管
? MOSFET
器件價格
從MOSFET、晶閘管、二極管等各類功率器件來看，東微半導定價[敏感詞]，達到2.84元/顆。這主要來源于其在高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓溝槽柵MOSFET以及超級硅MOSFET等主營產(chǎn)品上的技術(shù)領先優(yōu)勢，以及在新能源車、光伏等領域的應用優(yōu)勢。
第三代半導體SiC器件
SBD：Schottky barrier diode ，肖特基二極管
SiC 肖特基二極管的主要優(yōu)勢在于其正向壓降低，有助于降低通態(tài)損耗；同時它作為單極型器件，無少子存儲和反向恢復現(xiàn)象，可以實現(xiàn)較高的開關(guān)頻率，有助于充分發(fā)揮 SiC件的優(yōu)勢。所以在中低電壓、中小電流、中高頻的（600~3000 V、5~20 A、150~200 kHz）的應用場合，SiC肖特基二極管迅速取代了Si FRD。肖特基結(jié)構(gòu)的主要問題是由于其勢壘高度較低，且存在鏡像力勢壘降低效應，所以其反向漏電流較大，且隨反向電壓增加，擊穿特性較弱。
在實際應用中，肖特基二極管的設計存在正向壓降和反向漏電之間的權(quán)衡取舍。對于純肖特基二極管而言，這只能通過選取不同的金屬種類來實現(xiàn)。使用接觸勢壘較高的金屬（如 Ni），可以實現(xiàn)較小的漏電流，但是正向?qū)▔航祵黾樱?/span>使用接觸勢壘較低的金屬（如 Ti），可以實現(xiàn)較低的正向壓降，但是反向漏電將會增加。
考慮到勢壘釘扎效應的影響，實際上不同金屬種類之間的勢壘差比金屬功函數(shù)更小，改變金屬種類對器件性能的影響并不顯著
應用方向：中低電壓、中小電流、中高頻的（ 600~3000 V、 5~20 A、 150~200 kHz）的應用場合
JBS：Junction barrier Schottky diode，結(jié)勢壘肖特基二極管
為了給器件設計增加更多的自由度，在不顯著惡化正向?qū)ㄐ阅艿那闆r下抑制反向漏電。
在 JBS 二極管中，陽極金屬下方的肖特基接觸部分和 P+區(qū)部分交錯排列。在正偏時，僅有肖特基接觸部分參與導電，器件的特性類似純肖特基二極管；在反偏時，肖特基結(jié)兩側(cè)的 P+區(qū)和 N-外延層構(gòu)成的 P+/N-結(jié)形成的耗盡區(qū)相互接觸，對肖特基接觸形成了屏蔽，顯著降低了其下方的電場強度，從而降低了漏電流。通過改變 P+區(qū)和肖特基區(qū)的尺寸，在保持肖特基金屬不變的前提下，很容易地調(diào)節(jié)器件的正向和反向特性；同時， JBS 二極管還保留了純肖特基二極管單極性導通、開關(guān)速度快的優(yōu)勢，所以 JBS 二極管很快就代替了純肖特基二極管，成為了 Si 肖特基二極管的主要形式。
SiC JBS 二極管和純肖特基二極管一樣，幾乎沒有反向恢復過程，非常適合高頻應用。
應用方向：在 600~3500 V 范圍內(nèi)最常用。
在各種可靠性性能中，抗浪涌電流沖擊能力是非常重要的一個可靠性指標。抗浪涌電流沖擊能力指的是器件承受大電流脈沖的能力。當浪涌電流出現(xiàn)時，大電流脈沖流過器件，產(chǎn)生相應的電壓降，進而產(chǎn)生較大的發(fā)熱功率，導致器件的溫度在短時間內(nèi)急劇上升，最終可能使得器件內(nèi)部某部分材料被燒毀，導致器件失效。具有高浪涌可靠性的器件能平穩(wěn)度過大電流脈沖，不發(fā)生失效和明顯的特性退化，有助于提高整個系統(tǒng)的可靠性。為了提高器件的浪涌可靠性，在 JBS 二極管的基礎上提出了 MPS (Merged PiN Schottky)二極管。
在 MPS 二極管中，除了小尺寸 P+區(qū)外，還有用于提高器件浪涌可靠性的大尺寸P+區(qū)。其中小 P+區(qū)的作用和 JBS 二極管中的 P+區(qū)完全相同，而大 P+區(qū)的作用在于提高器件在大電流下的導通能力。在大電流下，大 P+區(qū)對應的 PN 結(jié)將會開啟，并向器件的漂移區(qū)注入少數(shù)載流子；由此產(chǎn)生的電導調(diào)制效應將會極大地降低器件的電阻。MPS 二極管的概念和 JBS 二極管從器件的結(jié)構(gòu)特征來說，并沒有本質(zhì)的區(qū)別，都是 P+區(qū)與肖特基區(qū)的交替排列。區(qū)別在于其工作模式：在 JBS 二極管中， P+區(qū)僅僅在器件處于反偏時屏蔽高電場，以減小肖特基結(jié)處的漏電，在器件處于正偏時并不起作用；在 MPS 二極管中， P+區(qū)在器件處于反偏時起到相同的作用，同時在器件處于正偏且正偏電壓較大時，同樣會參與導電，以提高器件雙極導通能力。
與Si相比，由于 SiC 材料相比 Si 材料有著更高的擊穿場強，因此 SiC 肖特基二極管可以用薄得多的外延層實現(xiàn)相同的耐壓。在正常導通時， SiC 肖特基二極管的壓降天然就比 Si 肖特基二極管小，無需使器件進入雙極導通狀態(tài)。所以 SiC MPS 二極管中的 P+區(qū)逐漸變成了僅在大電流下導通、增強器件浪涌可靠性的手段。
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