1.沉積（Deposition）：在半導體材料表面上沉積薄膜層，如化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）。

2.蝕刻（Etching）：使用化學或物理方法去除表面的不需要的材料，如濕法蝕刻和干法蝕刻。

3.光刻（Photolithography）：使用光刻膠和光罩（mask）將模式影射到芯片表面，以定義電路的圖案。

4.熱處理（Annealing）：通過加熱和冷卻的過程改變材料的晶格結構和性能。

5.摻雜（Doping）：向材料中引入雜質，以改變其電子特性，如n型摻雜和p型摻雜。

6.金屬化（Metallization）：在芯片上添加金屬層，用于電流流動、連接和引線。

7.清洗（Cleaning）：通過化學溶液或物理過程去除雜質和污染物，以保持芯片的純凈度。

8.堿性洗滌（Alkaline Cleaning）：使用堿性溶液去除材料表面的有機和無機殘留物。

9.接觸式曝光（Contact Exposure）：將光刻膠與光罩直接接觸，進行圖案的傳遞。

10.阻擋層（Masking Layer）：用于保護或選擇性曝光的化學或物理層。

11.退火（Annealing）：通過加熱和冷卻來消除應力、改善晶格結構質量和調整電子特性。

12.異質結（Heterojunction）：由不同材料組成的結構，具有不同的能帶結構和電子特性。

13.電子束曝光（Electron Beam Lithography）：使用電子束繪制圖案，以進行高分辨率的光刻。

14.CMP（Chemical Mechanical Polishing）：一種通過化學和機械作用來平整和拋光表面的工藝。

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