晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同： 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……

減薄晶片有四種主要方法，（1）機械研磨，（2）化學機械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結(jié)合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質(zhì)來使基板變薄。 打磨 機械研磨 機械（常規(guī)）磨削–該工……

IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構(gòu)成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實現(xiàn)電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發(fā)展，許多金屬鍵合線被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術(shù)中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術(shù)中常用材料的性能。 表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是

AFE概述 BMS中芯片選型最重要的非AFE莫屬了?？梢哉fAFE 的方案直接決定了整個BMS 的系統(tǒng)方案。下面針對現(xiàn)在通用的BMS方案，做一下總結(jié)，聊一下具有代表性的幾個大廠的AFE。 TI方案 說到關(guān)于半導體行業(yè)的大佬，TI真是應有具有。TI的AFE也比較強大，從低壓到高壓覆蓋面也很廣了。下面聊一聊 1串~4串的AFE有BQ40z50-R1，適用范圍：筆記本電腦、醫(yī)療與測試設(shè)備、便攜式儀表。 圖片來源于TI官網(wǎng) BQ76

網(wǎng)格方案的選取和網(wǎng)格質(zhì)量是CAE仿真分析的支點，沒有網(wǎng)格就沒有數(shù)值計算。網(wǎng)格沒有認真對待，你給我一個結(jié)果，我也不相信。 ……

摘 要 ……

描述 被動元器件又稱為無源器件，是指不影響信號基本特征，僅令訊號通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動元件，區(qū)別于主動元件。而國內(nèi)此前則稱無源器件和有源器件。被動元件內(nèi)無需電源驅(qū)動且自身不耗電，僅通過輸入信號即可作出放大，震蕩和計算的反應，而不需……

高壓上下電管理 高壓上電管理：BMS進行自檢狀態(tài)，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負、預充繼電器進行預充，當檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時間后，斷開預充繼電器，高壓上電完成，進入BMS工作模式。KL15為OFF狀態(tài)，或者……

摘要 與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面?zhèn)鲗崃?，其熱測試評估方式需重新考量。本文進行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發(fā)與熱界面材料選型，同時對比研究模塊壓裝方式，開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結(jié)構(gòu)熱測試方法，可實現(xiàn)單面熱阻測……

MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管

根據(jù) 50 歐姆阻抗線寬進行布線，盡量從焊盤中心出線，線成直線，盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線，推薦在電容或電阻兩邊進行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的，請嚴 格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如，一個放大管與電容 之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做……

本文刊載于《中國科學院院刊》2023年第2期“科學觀察” 李樹深* 中國科學院半導體研究所 半導體……