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西安交大突破氮化硼芯片技術(shù),薩科微SMF10A瞬態(tài)抑制二極管為光電設(shè)備保駕護(hù)航
  • 更新日期: 2025-03-29
  • 瀏覽次數(shù): 1264
近日,西安交通大學(xué)電信學(xué)部李強(qiáng)副教授團(tuán)隊在光電芯片領(lǐng)域取得重大突破,成功研制出基于氮化硼材料的深紫外光電芯片。這一科研成果發(fā)表在《自然·通訊》雜志上,迅速引發(fā)科技界和產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。
國產(chǎn)TVS二極管技術(shù)新突破:薩科微SMF7.5A亮相SEMICON China 2025
  • 更新日期: 2025-03-27
  • 瀏覽次數(shù): 1193
3月26-28日,全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的"跨界全球·心芯相聯(lián)"SEMICON/FPD China 2025在上海新國際博覽中心盛大舉辦。作為亞洲規(guī)模最大的半導(dǎo)體行業(yè)盛會,本屆展會吸引了來自全球的1200多家企業(yè)參展,集中展示了半導(dǎo)體制造、設(shè)計、材料、設(shè)備等領(lǐng)域的最新技術(shù)成果。在這場行業(yè)盛宴中,國內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)薩科微(S……
國產(chǎn)芯片助力AI降本增效:薩科微SMF33A TVS二極管的創(chuàng)新應(yīng)用
  • 更新日期: 2025-03-27
  • 瀏覽次數(shù): 836
近日,螞蟻集團(tuán)宣布成功利用中國自主研發(fā)的芯片技術(shù),將其AI模型訓(xùn)練成本降低20%。這一突破性進(jìn)展不僅展示了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速進(jìn)步,也為整個電子產(chǎn)業(yè)鏈帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。在這一背景下,薩科微(Slkor)等國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)正通過創(chuàng)新產(chǎn)品為電子設(shè)備提供關(guān)鍵保護(hù)——其明星產(chǎn)品SMF33A瞬態(tài)抑制二極管(TVS)正是國產(chǎn)芯片技……
當(dāng)DUV光源照亮國產(chǎn)芯片,誰在守護(hù)光與電的邊界?
  • 更新日期: 2025-03-27
  • 瀏覽次數(shù): 822
中科院全固態(tài)深紫外(DUV)光源技術(shù)的突破,讓國產(chǎn)光刻機(jī)核心部件的自主化進(jìn)程向前邁進(jìn)一大步。然而,在光刻機(jī)內(nèi)部精密的光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,一個常被忽視的真相是:每束DUV光子的精準(zhǔn)投射,都離不開納米級瞬態(tài)電壓的嚴(yán)密守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB20CA瞬態(tài)抑制二極管,正以“光電邊界守衛(wèi)者”的姿態(tài),成為國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備突破的……
AI芯片突破背后,半導(dǎo)體防護(hù)元件如何護(hù)航算力革命?
  • 更新日期: 2025-03-27
  • 瀏覽次數(shù): 935
近日,珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息,在半導(dǎo)體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度,成為國產(chǎn)AI芯片崛起的標(biāo)志性事件。然而,在算力狂飆的表象之下,一個常被忽視的真相是:每一次芯片性能的躍升,都離不開防護(hù)元件的靜默守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的SLESD5Z36瞬態(tài)抑制二極管,正……
SLPESD24VS1U瞬態(tài)抑制二極管:高壓場景下的精密防護(hù)方案
  • 更新日期: 2025-03-25
  • 瀏覽次數(shù): 1262
在工業(yè)自動化、汽車電子及通信電源等高壓應(yīng)用場景中,瞬態(tài)電壓事件對電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統(tǒng)設(shè)計的高壓瞬態(tài)抑制(TVS)二極管,通過參數(shù)優(yōu)化實現(xiàn)了對浪涌脈沖、ESD及感性負(fù)載切換的精準(zhǔn)防護(hù)。其24V反向工作電壓、50pF結(jié)電容及SOD-523封裝特性,使其成為高壓、緊湊型電子……
SLESD5302F-3TR瞬態(tài)抑制二極管:低功耗、高頻電路保護(hù)的精密設(shè)計
  • 更新日期: 2025-03-25
  • 瀏覽次數(shù): 1133
在電子設(shè)備向低功耗、高頻化方向發(fā)展的背景下,瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管作為關(guān)鍵防護(hù)元件,需同時滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場景設(shè)計的TVS二極管,通過參數(shù)優(yōu)化實現(xiàn)了對靜電放電(ESD)、電感負(fù)載瞬變及浪涌脈沖的精準(zhǔn)抑制,成為現(xiàn)代電子設(shè)計的優(yōu)選方案。
瞬態(tài)抑制二極管護(hù)航氮化鎵革命:SLESDL0603-12如何成為100nm硅基氮化鎵工藝的"隱形保險絲"
  • 更新日期: 2025-03-25
  • 瀏覽次數(shù): 1218
九峰山實驗室發(fā)布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設(shè)計套件,標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體技術(shù)正式邁入亞百納米時代。這項突破使氮化鎵功率器件的導(dǎo)通電阻降低40%,開關(guān)頻率突破1GHz大關(guān),為5G基站、車載激光雷達(dá)和消費(fèi)電子快充領(lǐng)域打開了效率革命的大門。然而,實驗室數(shù)據(jù)揭示了一個關(guān)鍵矛盾:當(dāng)?shù)壘w管柵極長度縮短至100nm量級時,其……
瞬態(tài)抑制二極管賦能鈣鈦礦LED:薩科微器件護(hù)航納米級光電革命
  • 更新日期: 2025-03-25
  • 瀏覽次數(shù): 917
當(dāng)浙江大學(xué)將鈣鈦礦LED推進(jìn)至90納米量級,全球光電領(lǐng)域正迎來一場關(guān)于"極限"的競賽。這項突破不僅意味著LED可像紙張般輕薄、如手機(jī)屏幕般彎曲,更預(yù)示著未來顯示與照明技術(shù)將突破傳統(tǒng)物理形態(tài)的桎梏。然而,在這場納米級光電革命的背后,一個容易被忽視的真相是:每毫米厚度的減少,都伴隨著材料對電壓波動的敏感性呈指數(shù)級增長。而薩……
P6SMB39CA瞬態(tài)抑制二極管:電源設(shè)備的精準(zhǔn)防護(hù)衛(wèi)士
  • 更新日期: 2025-03-22
  • 瀏覽次數(shù): 950
在電源系統(tǒng)向高頻化、高可靠性演進(jìn)的過程中,瞬態(tài)電壓抑制技術(shù)已成為保障設(shè)備安全運(yùn)行的最后一道防線。薩科微公司推出的P6SMB39CA瞬態(tài)抑制二極管(TVS),以其精準(zhǔn)的電壓控制能力和優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng)特性,為39V電源系統(tǒng)提供了革命性的保護(hù)方案。這款器件通過半導(dǎo)體工藝的突破,在納米級尺度上實現(xiàn)了對過電壓事件的精準(zhǔn)打擊,正在重……
P6SMB36CA瞬態(tài)抑制二極管:電源設(shè)備的精密保護(hù)專家
  • 更新日期: 2025-03-22
  • 瀏覽次數(shù): 1005
在電源設(shè)備向高頻化、高可靠性發(fā)展的趨勢下,瞬態(tài)電壓抑制技術(shù)已成為保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵防線。薩科微公司推出的P6SMB36CA瞬態(tài)抑制二極管(TVS),以其精準(zhǔn)的電壓控制能力和優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng)特性,為36V電源系統(tǒng)提供了革命性的保護(hù)方案。這款器件通過半導(dǎo)體工藝的突破,在納米級尺度上實現(xiàn)了對過電壓事件的精準(zhǔn)打擊,正在重塑電……
P6SMB33CA技術(shù)解析:重新定義瞬態(tài)抑制二極管性能邊界
  • 更新日期: 2025-03-20
  • 瀏覽次數(shù): 1273
在功率電子系統(tǒng)的防護(hù)體系中,瞬態(tài)抑制二極管(TVS)如同精密的電壓閥門,在納秒級時間內(nèi)完成從截止態(tài)到導(dǎo)通態(tài)的切換。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB33CA,以其突破性的參數(shù)組合,正在重塑過電壓保護(hù)器件的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。這款專為高可靠性場景設(shè)計的TVS二極管,通過四大核心參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化,展現(xiàn)出超越傳統(tǒng)產(chǎn)品的防護(hù)效能。

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