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劃片工藝流程

更新日期： 2023-02-25
瀏覽次數： 2336

晶圓經過前道工序后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圓一般使用激光……

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簡述晶圓減薄的幾種方法

更新日期： 2023-02-25
瀏覽次數： 2905

減薄晶片有四種主要方法，（1）機械研磨，（2）化學機械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。打磨機械研磨機械（常規）磨削–該工……

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IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

更新日期： 2023-02-25
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IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發展，許多金屬鍵合線被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術中常用材料的性能。表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合鋁線鍵合是

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SiC IGBT研究進展與前瞻

更新日期： 2023-02-24
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摘要 ……

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全面解讀標準AEC-Q200：被動元器件需要做哪些可靠性測試？

更新日期： 2023-02-24
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描述被動元器件又稱為無源器件，是指不影響信號基本特征，僅令訊號通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動元件，區別于主動元件。而國內此前則稱無源器件和有源器件。被動元件內無需電源驅動且自身不耗電，僅通過輸入信號即可作出放大，震蕩和計算的反應，而不需……

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電池管理系統BMS主要功能規范

更新日期： 2023-02-23
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高壓上下電管理高壓上電管理：BMS進行自檢狀態，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負、預充繼電器進行預充，當檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時間后，斷開預充繼電器，高壓上電完成，進入BMS工作模式。KL15為OFF狀態，或者……

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雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試方法研究

更新日期： 2023-02-23
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摘要與傳統單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面傳導熱量，其熱測試評估方式需重新考量。本文進行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發與熱界面材料選型，同時對比研究模塊壓裝方式，開發出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結構熱測試方法，可實現單面熱阻測……

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MOS工作原理及失效分析

更新日期： 2023-02-23
瀏覽次數： 3201

MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管

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PCB布線要點整理

更新日期： 2023-02-22
瀏覽次數： 3072

根據 50 歐姆阻抗線寬進行布線，盡量從焊盤中心出線，線成直線，盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線，推薦在電容或電阻兩邊進行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的，請嚴格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如，一個放大管與電容之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做……

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中科院：半導體基礎研究匱乏，我們進入"黑暗森林"

更新日期： 2023-02-22
瀏覽次數： 2426

本文刊載于《中國科學院院刊》2023年第2期“科學觀察” 李樹深* 中國科學院半導體研究所半導體……

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碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

更新日期： 2023-02-21
瀏覽次數： 4106

一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產品。這些因素可能導致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區別，這將有助于我們了解何時最有效地應用這些化合物……

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IGBT的發展史及測試

更新日期： 2023-02-21
瀏覽次數： 2824

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀80年代初發明、開發并商業化。器件結構（圖4左側）可以設計為在第一象限和第三象限（對稱IGBT）的結J1和J2處阻斷電壓，或者僅在第一象限（不對稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創建MOS溝道來工作，該偏置將基極驅動電流輸送到內部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……

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