20世紀(jì)中期出現(xiàn)了功率器件，經(jīng)過近30年的發(fā)展，MOS和BJT技術(shù)的結(jié)合催生出IGBT技術(shù)。IGBT經(jīng)過不斷更新，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于車輛、焊接、航天航空等領(lǐng)域。本文介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理，并對其在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行闡述，有助于從業(yè)者全面深入了解IGBT原理及其在電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。 隨著全球變暖和環(huán)境……

如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè) 小平臺 ，有人會好奇為什么Vgs在上升時(shí)會有一個(gè)小平臺？ ……

引言 碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個(gè)不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意義。材料參數(shù)差異包括擴(kuò)散系數(shù)、表面能和化學(xué)鍵強(qiáng)度，所有這些都可以在清潔關(guān)鍵表面方面發(fā)揮作用。這項(xiàng)工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經(jīng)過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與……

低頻來自兩部分：差模和共模濾波。差模濾波試圖減少電流返回回線的電源線上噪聲。這意味著電源線上噪聲存在在外殼和回線上。所以濾波的目的是在它離開外殼之前分流到回線，這樣保證它返回而測量不到。設(shè)置一個(gè)電感在功率線上，阻斷它出去，同時(shí)提供一個(gè)電容在電源與回線之間，提供噪聲低阻抗通道。通常商業(yè)測試時(shí)帶有 LISN（Line Im……

今年10月28日，在英特爾ON技術(shù)創(chuàng)新峰會上，英特爾揭開了第12代英特爾酷睿處理器產(chǎn)品家族的神秘面紗，推出了六款全新未鎖頻臺式機(jī)處理器，其中包括全球性能出眾的游戲處理器——第12代英特爾酷睿i9-12900K。憑借最高5.2GHz的睿頻頻率及多達(dá)16核與24線程的規(guī)格，全新處理器可為游戲發(fā)燒友和專業(yè)創(chuàng)作者釋放更高的多線……

模擬電路設(shè)計(jì)需要扎實(shí)的模電基礎(chǔ)以及豐富的經(jīng)驗(yàn)積累，這里，我們分享一位模電老工程師的總結(jié)，幫助大家在設(shè)計(jì)中少踩坑，少走彎路 ，覺得好的點(diǎn)個(gè)贊啊！ 1. 系統(tǒng)定義 ??系統(tǒng)定義是模擬電路設(shè)計(jì)的基本前提。根據(jù)設(shè)計(jì)要求，模擬電路設(shè)計(jì)工程師需要對電路系統(tǒng)及子系統(tǒng)做出相應(yīng)的功能定義，并確定面積、功耗等相關(guān)性能的參……

近兩年來，氮化鎵在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的發(fā)展迅速，無論是高性價(jià)比的高頻QR反激拓?fù)溥€是主打高性能的有源鉗位反激，亦或是百瓦大功率專用的LLC，市面上的氮化鎵快充新品一直都層出不窮。 當(dāng)然，技術(shù)的成熟也會讓產(chǎn)品的性能和賣點(diǎn)都面臨著同質(zhì)化的問題，為了尋求產(chǎn)品的更多差異化，電源廠商也是絞盡腦汁。比如，近日充電頭網(wǎng)就拿……

1、基本名詞 常見的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) ■Buck降壓 ■Boost升壓 ■Buck-Boost降壓-升壓 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward雙晶體管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半橋 ■Full Bridge全橋 ■SEPIC ■C’uk 基……

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別……

GD32是國內(nèi)開發(fā)的一款單片機(jī)，據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。 不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。 相同的地方我們就不說了，下面列一下不同的地方。 1 內(nèi)核 GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個(gè)BU

01 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲PPTC選型 隨著電子產(chǎn)品的高速發(fā)展，如今自恢復(fù)保險(xiǎn)絲（PPTC）在電路設(shè)計(jì)的常見應(yīng)用領(lǐng)域中早已屢見不鮮。雖然過流保護(hù)方式多種多樣，但是自恢復(fù)保險(xiǎn)絲不管是從安裝使用、還是從性能效率來看都是其中較為理想的過流保護(hù)元件，而且由于自恢復(fù)保險(xiǎn)絲分為插件保險(xiǎn)絲和貼片保險(xiǎn)絲，使……

幾乎所有電子產(chǎn)品都需要用到運(yùn)算放大器，運(yùn)算放大器（簡稱運(yùn)放），它的英文全稱是Operation Amplifier,簡寫為OPAM，是一種直流耦合，差模輸入、通常為單端輸出的高增益電壓放大器。今天，我們給大家科普一下有關(guān)運(yùn)算的基礎(chǔ)知識。 遍觀所有模擬電子技朮的書籍和課程，在介紹運(yùn)算放大器電路的時(shí)候，無非是先給電路……