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MEMS國產替代被全方位遏制，機會從何而來？
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 3521
本文重點介紹了國內MEMS傳感器的產業情況，探討了國內MEMS替代的難點和要點，并給出了結論和解決方案。 這篇文章有很多值得一讀的觀點。 有人特別指出，企業的研發能力是突破國產替代的核心。 企業與下游廠商的穩定合作是產品不斷迭代的關鍵。 強大的資本認可也是公司快速發展的動力之一。 MEMS是Micro E……
新能源汽車電子中有哪些應用能使用模擬芯片覆蓋
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 3711
目前，全球芯片產能吃緊。 “芯荒”的核心因素仍然是需求端的突然釋放。 2020年全球新能源汽車滲透率僅為3.7%，但2021年上半年飆升2.3個百分點至6%。 具體來看，2021年上半年全球新能源汽車累計銷量達到241萬輛，同比增長170%。 雖然去年受時尚影響基數較低，但新能源汽車銷量穩步增長。 眾……
薩科微精選同事年終總結（SEO小黃）
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 2526
自進入深圳市薩科微半導體公司（m.xjgouwu.cn）轉眼馬上一年時間了，非常慶幸有緣來到朝氣蓬勃的電子元器件行業和興旺發達的薩科微半導體公司。這一年在宋仕強先生的帶領下做了不少事情也學到了很多，對自己是一次鍛煉，在這里做一下總結和展望明年的工作： 薩科微slkor公司整潔大氣的明堂……
盤點73座?中國內陸晶圓廠
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 5204
晶圓廠，光刻黃光區一角 來源|芯榜綜合 2021年，芯片產業的歷史水平將受到沖擊，產業鏈的聲音將迎來重大轉變。一方面，芯片的話語權/價值進一步從下游終端和中游模組代工廠轉移到上游芯片。從汽車到手機、電視、家電等，下游短缺和價格上漲將加劇。所謂重復訂單，只是提升……
穩壓二極管和快速恢復二極管
  • 更新日期： 2022-03-17
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穩壓 二極管和快速恢復 二極管 ??穩壓二極管是由pn結的反向擊穿特性表現出的穩壓性能制成的器件，又稱齊納二極管或反向擊穿二極管，在電路中起到穩壓的作用。它利用二極管反向擊穿后，在一定的反向電流范圍內，反向電壓不隨反向電流變化的特性來穩定電壓。 一般由硅半導體材料通過合金法或擴散法制成。……
如何正確選擇MOS管？需要注意哪些細節？
  • 更新日期： 2022-03-17
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如何正確選擇 MOS管？需要注意哪些細節？ ?? MOS管由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于壓控半導體器件，具有輸入電阻高10^7~10^12Ω）、低噪聲、低功耗、動態范圍大、易集成、無二次擊穿、安全工作區寬等優點，現已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。 ??1)用N溝道或P溝道？ ……
可控硅的兩種觸發方式：移相觸發和過零觸發觸發
  • 更新日期： 2022-03-17
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可控硅的兩種觸發方式：移相觸發和過零觸發觸發 可控硅作為交流元器件的一種，有雙向和單相可控硅，由于雙向可控硅雙向性，因此在正負電源均可以導通，因此經常被用于交流調節負載電路當中，雙向可控硅一般的控制方式過零觸發以及移相觸發兩種。 ??1.過零觸發 ??顧名思義，過零觸發，在過零點時觸發可控硅。因……
霍爾元件在電動車轉把中的應用
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 2897
霍爾元件在電動車轉把中的應用 ??目前，電動車基本上是每個家庭必不可少的交通工具之一，電動車的安全駕駛也非常重要。隨著科技的發展，各種電動車及配件都采用了新的安全監控技術，尤其適用于霍爾元器件、電流傳感器等傳感器。 ??許多傳感器技術被用于制造電動汽車，以保護我們的出行安全。 霍爾元件是一種磁感應傳感器，……
霍爾效應和霍爾元件
  • 更新日期： 2022-03-17
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霍爾效應和 霍爾元件 ??當電流在磁場中流經半導體時，會在與電流成直角的方向上產生電壓(霍爾電壓)。這種現象被稱為霍爾效應。霍爾元件是一種利用霍爾效應的磁探測元件。霍爾元素由InSb（銻化銦）和GaAs（砷化鎵）制成。根據弗萊明右手定則，線圈可以通過磁場的變化產生電動勢。 利用這一原……
兩個IGBT模塊并聯比一個IGBT有什么優勢？
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 3818
兩個 IGBT模塊并聯比一個 IGBT有什么優勢？ ??并聯使用IGBT有以下幾個原因： ??第一：需求降低成本。以兩點平為例，直接購買賽米控等廠商的成品模塊固然可提高產品穩定性，但相應的成本增加超出了普通公司的承受能力。使用多模塊并聯可以明顯降低成本。一般電流越大，IGBT價格越高，可供選擇的供應商越少……
IGBT模塊有哪些功能？
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 2048
IGBT模塊有哪些功能？ ?? IGBT電源模塊由IC、各種驅動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術驅動，從復合電源模塊PIM發展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發展，產品等級為1200—1800A/1800—3300V。IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車的VVVF變頻器。平面低電感封裝技術是PEBB以大電流IGBT模塊為有源器件，用于艦船上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒陶瓷多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低
IGBT單管與IGBT模塊的區別
  • 更新日期： 2022-03-17
  • 瀏覽次數： 4602
IGBT單管與 IGBT模塊的區別 ??IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進和升級。它們的應用領域基本相同。但是，由于集成了各種驅動和保護電路，IGBT模塊的安裝極大地方便了用戶。隨著新包裝技術的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的應用領域。 ??IGBT電源模塊由IC、各種驅動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術驅動，從復合電源模塊PIM發展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發展，產品等級為1200—18

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