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開展行業(yè)的技術(shù)交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等，以市場趨勢為導(dǎo)向、以客戶滿意為結(jié)果，銳意進取持續(xù)發(fā)展。SLKOR的MOS管大量應(yīng)用于鋰電池保護板、智能掃地機器人、TWS藍牙耳機、電子煙、戶外照明等行業(yè)。碳化硅SiC器件主要應(yīng)用于能源互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，應(yīng)用行業(yè)有充電樁、新能源汽車、清潔能源發(fā)電、大功率開關(guān)電源和不間斷電源等，在軍事和航天領(lǐng)域也有一定的應(yīng)用。

三星遠甩英特爾再度奪冠，全球半導(dǎo)體廠商最新排名出爐！

更新日期： 2022-09-21
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據(jù)悉，三星和英特爾已爭奪全球芯片龍頭寶座多年，三星2017年營收首度超越英特爾，之后連兩年蟬聯(lián)第一，2019年又被英特爾擠下，2021年又再度登頂。報道稱，隨著記憶體芯片市場陷入衰退，三星下半年可能失去全球芯片龍頭寶座。

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高端GPU芯片：英偉達的獨角戲？

更新日期： 2022-09-21
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高端GPU作為通用計算的“加速神器”，日漸成為大型數(shù)據(jù)中心、人工智能、超算等領(lǐng)域的剛需。長期以來，英偉達在高端GPU市場占據(jù)主導(dǎo)地位，市場占有率一度超過90%。

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印度走上自主之路竟靠的是RISC-V

更新日期： 2022-09-20
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印度推出了數(shù)字印度RISC-V（DIR-V）計劃，作為7600億盧比的半導(dǎo)體印度計劃的一部分，基于RISC-V架構(gòu)打造微處理器，爭取在2023年12月之前完成成功商用，而今天我們要介紹的VEGA就是受益于該計劃的印度自研RISC-V處理器。

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國產(chǎn)替代碳化硅取得顯著成效

更新日期： 2022-09-20
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碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內(nèi)企業(yè)在 2-6 英寸的半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實現(xiàn)部分國產(chǎn)替代，8 英寸晶圓也在研制過程中，國產(chǎn)替代進程講持續(xù)突破。

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Arm 高管：RISC-V不是數(shù)據(jù)中心的競爭對手，但我們尊重它

更新日期： 2022-09-20
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Arm 產(chǎn)品解決方案副總裁 Dermot O'Driscoll 在新聞發(fā)布會上對記者說，他承認 RISC-V 正在推動與英國芯片設(shè)計公司的“一些競爭”?！艾F(xiàn)在這是一個非常令人興奮的市場，”他說?！八梢詭椭覀兯腥思凶⒁饬Σ⒋_保我們做得更好?！?/div>

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得到證實！對華28nm以下大硅片出口管制已納入瓦森納協(xié)定

更新日期： 2022-09-16
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投資者在互動平臺咨詢立昂微：國際前5大硅片生產(chǎn)商的12英寸用于28納米以下制程的硅片是不對國內(nèi)出售的，請問是否屬實？立昂微公司回答表示，據(jù)了解，用于28納米以下制程的12英寸硅片已納入瓦森納協(xié)定。

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兆易創(chuàng)新推出首款DDR3L產(chǎn)品將重點布局利基市場

更新日期： 2022-09-16
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兆易創(chuàng)新今日宣布，推出公司首款自研DDR3L產(chǎn)品——GDPxxxLM系列，提供2Gb/4Gb不同容量選擇，實現(xiàn)了從設(shè)計、流片，到封測、驗證的全流程自主可控，在滿足消費類市場強勁需求的同時，兼顧工業(yè)及汽車市場應(yīng)用，可為國產(chǎn)自主供應(yīng)生態(tài)圈的發(fā)展構(gòu)建提供強有力的支撐。

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煩“芯”事大廠也有：巨頭押注下一個“黃金十年”下場造芯？

更新日期： 2022-09-15
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上月初，在快手StreamLake品牌發(fā)布會上，快手宣布研制出面向云端智能視頻處理的SoC芯片“SL200” ，目前已流片成功，正進行線上內(nèi)測。而此前不久，快手的“老對頭”字節(jié)跳動承認自研芯片并披露最新進展，還被曝開出3倍薪資挖芯片人才。

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功率半導(dǎo)體領(lǐng)域殺出的一匹黑馬

更新日期： 2022-09-14
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功率半導(dǎo)體被認為是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的突破口。最近幾年發(fā)展下來，中國功率半導(dǎo)體供應(yīng)商已經(jīng)在當下的功率電子“生態(tài)系統(tǒng)”中扮演著重要的角色，而且發(fā)展勢頭強勁。在本土乃至全球功率半導(dǎo)體市場中，一家擁有12英寸功率半導(dǎo)體晶圓制造和封測產(chǎn)線的IDM廠商不容小覷。

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瑞能半導(dǎo)體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度

更新日期： 2022-09-14
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目前，全球推進“雙碳”目標，緩解日益嚴重的溫室效應(yīng)的過程將帶來更多清潔能源發(fā)電、新能源汽車、充電樁和儲能等全新的需求。顯而易見，功率半導(dǎo)體會成為綠色能源和高效負載能源網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵驅(qū)動力。

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強勢進軍現(xiàn)代電力電子,全面開啟SiC年，推動第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量發(fā)展

更新日期： 2022-09-14
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近年來，SiC（碳化硅）作為典型的第三代半導(dǎo)體材料，在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)率以及抗輻射等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢。現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域?qū)Ω吖β省⒏唠妷骸⒏哳l率具有巨大需求，是SiC功率產(chǎn)品的主要應(yīng)用領(lǐng)域。SiC功率產(chǎn)品典型市場包括軌道交通、風電、光伏、新能源汽車及其配套充電樁、不間斷電源等，應(yīng)用領(lǐng)……

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