IGBT單管與 IGBT模塊的區(qū)別

??IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進(jìn)和升級(jí)。它們的應(yīng)用領(lǐng)域基本相同。但是，由于集成了各種驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，IGBT模塊的安裝極大地方便了用戶。隨著新包裝技術(shù)的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域。
??IGBT電源模塊由IC、各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術(shù)驅(qū)動(dòng)，從復(fù)合電源模塊PIM發(fā)展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發(fā)展，產(chǎn)品等級(jí)為1200—1800A/1800—3300V。除了變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車的VVVF變頻器。平面低電感封裝技術(shù)大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦船上的發(fā)射器。IPEM采用共燒陶瓷芯片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低了電路布線電感，提高了系統(tǒng)效率。現(xiàn)在，第二代IPEM已經(jīng)研制成功，其中所有無源元件都埋在襯底中。智能化、模塊化已成為IGBT發(fā)展的熱點(diǎn)。

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