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技術交流

Technology Exchange
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BJT DMOS BiCMOS BCD半導體制程技術簡介
  • 更新日期： 2025-04-01
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隨著半導體制程制程不斷突破，業界流傳著一個被稱為「摩爾定律 」的著名論點。它是英特爾創始人之一戈登·摩爾在1965年提出的，其核心內容為：集成電路上可以容納的晶體管數目在大約每經過18個月到24個月便會增加一倍。這項定律不僅是對產業發展趨勢的一種分析預測，同時也成了半導體制程發展的動力——……
守護智算云"神經末梢"：SLPESD3V3S1BA-N瞬態抑制二極管在邊緣計算中的關鍵作用
  • 更新日期： 2025-03-31
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近日，上海市發布《關于促進智算云產業創新發展的實施意見（2025-2027年）》，提出到2027年智算云產業規模突破2000億元，構建云邊端協同生態體系的宏偉目標。在這一產業藍圖中，邊緣計算設備作為連接云端與終端的關鍵節點，其穩定性和可靠性至關重要。而SLPESD3V3S1BA-N瞬態抑制二極管，這款僅3.3V工作電壓……
從蔚來"神璣NX9031"芯片看瞬態抑制二極管SMF13A在智能駕駛中的關鍵作用
  • 更新日期： 2025-03-31
  • 瀏覽次數： 973
近日，蔚來汽車發布自研芯片"神璣NX9031"，作為業界首款采用5nm車規工藝制造的高階智能駕駛芯片，其集成超500億顆晶體管的卓越性能引發行業廣泛關注。在這一技術突破背后，一個看似不起眼卻至關重要的電子元件——瞬態抑制二極管SMF13A，正默默守護著這些精密芯片的安全運行。本文將探討瞬態抑制二極管如何成為智能駕駛系統……
上揚軟件啟動12英寸晶圓全自動產線，薩科微SMF20A為芯片制造保駕護航
  • 更新日期： 2025-03-29
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近日，半導體行業傳來重大利好消息——上揚軟件正式啟動12英寸特色工藝晶圓全自動生產線CIM系統。這一突破標志著我國在半導體制造關鍵系統領域取得重要進展，為國產芯片自主可控再添重要砝碼。CIM（Computer Integrated Manufacturing）系統是半導體制造工廠的"大腦"和"中樞神經系統"，負責協調控……
西安交大突破氮化硼芯片技術，薩科微SMF10A瞬態抑制二極管為光電設備保駕護航
  • 更新日期： 2025-03-29
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近日，西安交通大學電信學部李強副教授團隊在光電芯片領域取得重大突破，成功研制出基于氮化硼材料的深紫外光電芯片。這一科研成果發表在《自然·通訊》雜志上，迅速引發科技界和產業界的高度關注。
國產TVS二極管技術新突破：薩科微SMF7.5A亮相SEMICON China 2025
  • 更新日期： 2025-03-27
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3月26-28日，全球半導體行業矚目的"跨界全球·心芯相聯"SEMICON/FPD China 2025在上海新國際博覽中心盛大舉辦。作為亞洲規模最大的半導體行業盛會，本屆展會吸引了來自全球的1200多家企業參展，集中展示了半導體制造、設計、材料、設備等領域的最新技術成果。在這場行業盛宴中，國內知名半導體企業薩科微(S……
國產芯片助力AI降本增效：薩科微SMF33A TVS二極管的創新應用
  • 更新日期： 2025-03-27
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近日，螞蟻集團宣布成功利用中國自主研發的芯片技術，將其AI模型訓練成本降低20%。這一突破性進展不僅展示了中國半導體產業的快速進步，也為整個電子產業鏈帶來了新的發展機遇。在這一背景下，薩科微(Slkor)等國內半導體企業正通過創新產品為電子設備提供關鍵保護——其明星產品SMF33A瞬態抑制二極管(TVS)正是國產芯片技……
當DUV光源照亮國產芯片，誰在守護光與電的邊界？
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 826
中科院全固態深紫外（DUV）光源技術的突破，讓國產光刻機核心部件的自主化進程向前邁進一大步。然而，在光刻機內部精密的光電轉換系統中，一個常被忽視的真相是：每束DUV光子的精準投射，都離不開納米級瞬態電壓的嚴密守護。薩科微半導體推出的P6SMB20CA瞬態抑制二極管，正以“光電邊界守衛者”的姿態，成為國產半導體裝備突破的……
AI芯片突破背后，半導體防護元件如何護航算力革命？
  • 更新日期： 2025-03-27
  • 瀏覽次數： 940
近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國產AI芯片崛起的標志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開防護元件的靜默守護。薩科微半導體推出的SLESD5Z36瞬態抑制二極管，正……
SLPESD24VS1U瞬態抑制二極管：高壓場景下的精密防護方案
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 1264
在工業自動化、汽車電子及通信電源等高壓應用場景中，瞬態電壓事件對電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統設計的高壓瞬態抑制（TVS）二極管，通過參數優化實現了對浪涌脈沖、ESD及感性負載切換的精準防護。其24V反向工作電壓、50pF結電容及SOD-523封裝特性，使其成為高壓、緊湊型電子……
SLESD5302F-3TR瞬態抑制二極管：低功耗、高頻電路保護的精密設計
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 1135
在電子設備向低功耗、高頻化方向發展的背景下，瞬態電壓抑制（TVS）二極管作為關鍵防護元件，需同時滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場景設計的TVS二極管，通過參數優化實現了對靜電放電（ESD）、電感負載瞬變及浪涌脈沖的精準抑制，成為現代電子設計的優選方案。
瞬態抑制二極管護航氮化鎵革命：SLESDL0603-12如何成為100nm硅基氮化鎵工藝的"隱形保險絲"
  • 更新日期： 2025-03-25
  • 瀏覽次數： 1218
九峰山實驗室發布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設計套件，標志著第三代半導體技術正式邁入亞百納米時代。這項突破使氮化鎵功率器件的導通電阻降低40%，開關頻率突破1GHz大關，為5G基站、車載激光雷達和消費電子快充領域打開了效率革命的大門。然而，實驗室數據揭示了一個關鍵矛盾：當氮化鎵晶體管柵極長度縮短至100nm量級時，其……

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