更新日期： 2022-06-24
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MOS管發燙的原因，最近我有用到一個MOS管，MOS管的型號是2N7002，市面上很常見的MOS管，這個MOS管是一個電路的組合，是個自己設計的電路，用來驅動背光電路的，具體的電路圖我就不截出來了，我只能說造成我MOS管發燙的原因的話是我柵極驅動波形上升沿速度緩慢，因為我的電路需要頻繁的導通和關斷，上升沿波形緩慢的結果就是讓我的MOS管在電路導通的過程中處于線性導通狀態，也就是沒有完全導通，所以會發燙，如果做過開關電源的話就知道，MOS管上升沿緩慢代表什么，原因知道的話那就好辦了，驅動波形上升沿緩慢，也就

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半導體封裝技術詳解?。ㄊ詹兀?/a>

更新日期： 2022-06-21
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充電樁CP通信工程完整性模塊

更新日期： 2022-06-21
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2022-06-21 深圳南山 , 業內領先的工程類工業總線及電源完整性解決方案供應商大印藍海發布新能源汽車充電樁CP通信濾波降噪模塊伴隨我國新能源汽車利好政策陸續出臺，城市交通系統紛紛推出新能源公交車，加上工廠、倉庫也逐步應用新能源 AGV，充電樁的需求量日增月益。預計 2022年，我國將擁有分布式……

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干貨 | 技術參數詳解，MOS管知識最全收錄

更新日期： 2022-06-17
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和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等優勢，在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。 ……

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大廠DC-DC PCB layout建議

更新日期： 2022-06-16
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在DC-DC芯片的應用設計中，PCB布板是否合理對于芯片能否表現出其最優性能有著至關重要的影響。不合理的PCB布板會造成芯片性能變差如線性度下降（包括輸入線性度以及輸出線性度）、帶載能力下降、工作不穩定、EMI輻射增加、輸出噪聲增加等，更嚴重的可能會直接造成芯片損壞。 ……

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功率MOSFET技術資料與講解

更新日期： 2022-06-14
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什么是功率 MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號。對于諸如“流控制”或可編程開關之類的應用，我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說過 Bardeen &Brat……

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降低氮化鎵襯底成本，他們找到了新方法

更新日期： 2022-06-09
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2022年5月，名古屋大學未來材料與系統研究所的Hiroshi Amano教授和副教授Atsuyuki Tanaka組成的研究小組決定在“短時間內”以“小損耗”切割出GaN（氮化鎵）襯底宣布開發出可與Hamamatsu Photonics合作使用的激光切片技術。作為能夠降低 GaN 器件成本的技術而備受矚目。 ……

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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗

更新日期： 2022-06-09
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短路不可怕 IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多……

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PCB板元器件布局布線基本規則

更新日期： 2022-06-09
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一、元件布局基本規則　　1．按電路模塊進行布局，實現同一功能的相關電路稱為一個模塊，電路模塊中的元件應采用就近集中原則，同時數字電路和模擬電路分開；　　2．定位孔、標準孔等非安裝孔周圍1.27mm內不得貼裝元、器件，螺釘等安裝孔周圍3.5mm（對于M2.5）、4mm（對于M3）內不得貼裝元器件；　　3．臥裝電阻、功率電……

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半導體硅晶圓制造

更新日期： 2022-06-09
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晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓生產線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1 片或多片晶圓。隨著半……

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