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3D 封裝將成為主要工藝? !芯片巨頭決戰先進封裝!
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 3367
一、3D封裝將成為主要工藝 轉自:智東西 近日,中國臺灣工業技術研究院研究總監 Yang Rui 預測,臺積電將在芯片制造業再占主導地位五年,此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰。 過去十年各種計算工作負載飛速發展,而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對更家多樣化的計算應用需求,為了將更多功能 &……
功率mos管為何會被燒毀?都進來看看!
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 2867
mos在控制器電路中的工作狀態:開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。 Mos主要損耗也對應這幾個狀態,開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內,mos即會正常工作,超出承受范圍,即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗,不同mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因: 過流----------持續大電流或瞬間超大電流
深度解析!汽車上的功率半導體(二)
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 3095
電力驅動系統主要用在逆變器DC-AC中,將充電電池12V的直流電轉換成為驅動電機220V的交流電驅動電機工作。電機控制系統上需要用到幾十個IGBT,從電池輸出高電壓后,需通過DC-DC變化為低電壓后供汽車低壓網絡使用,例如特斯拉的三相交流異步電機,每相用28個IGBT累計84個,其他電機12個IGBT,特斯拉總共用到9……
是時候了解氧化鎵了
  • 更新日期: 2022-03-18
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在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中,已故的萊斯特?F.伊斯曼(Lester F. East-man)和烏梅什?K. 米什拉(Umesh K.Mishra)談到了當時功率半導體界的一項大膽技術:氮化鎵(GaN)。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使……
干貨!PLC現場安裝、調試全流程實戰經驗
  • 更新日期: 2022-03-18
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PLC控制系統的安裝與調試,涉及到各項工作,并且只能按序進行,一環緊扣一環,稍有不慎都將導致調試失敗,不但延誤工期,甚至會損壞設備。本文介紹了在現場實踐中總結出的PLC控制系統的安裝與調試技術經驗,并對現場經常出現的安裝、調試相關問題,提出探討意見和解決方案。 系統的安裝與調試 合理安排系統安裝與調試程序,是確保高效優質地完成安裝與調試任務的關鍵。 1、前期技術準備 系統安裝調試前的技術準備工作越充分,安裝與調試就會越順利。前期技術準備工作包括下列
深度解析!汽車上的功率半導體(一)
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 3519
隨著汽車電動化、智能化、網聯化等發展,汽車電子迎來結構性變革大機會。在傳統燃料汽車中,汽車電子主要分布于動力傳動系統、車身、安全、娛樂等子系統中。按照功能劃分,汽車半導體可大致分為功率半導體(IGBT和MOSFET等)、MCU、傳感器及其他等元器件。 對于新能源汽車……
淺析PWM控制電機轉速的原理
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 2536
經常使用的直流電機原理就是電生磁:通電導線會產生磁場。 也就是電磁感應 旋轉磁場帶動轉子轉動。 電動機是由定子和轉子組成,一個產生旋轉磁場,一個為磁極,電機的轉子(軸承)就轉起來了。 這便實現了電能->磁能->機械能的轉換。 下面這個圖可以更直觀的理解: PWM原理 ……
同步整流和非同步整流有什么區別?
  • 更新日期: 2022-03-18
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開關電源是通過功率管打開時給電感充電,電感儲能;功率管斷開時,電感釋放能量,從而實現電壓變換。 在功率管斷開時,電感釋放能量需要電流回路,續流元器件的選用不同,就會涉及到不同的整流方式,即同步整流和非同步整流。 那么同步整流和非同步整流到底有什么差別呢? 一、 區分同步與非同步 01……
開關電源的阻尼振蕩
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 2518
前兩期說了RCD電路,不可避免提到開關的尖峰。由此我想到了我們最常用的電路,Buck電路。 Buck振蕩波形 Buck電路電感前面的SW波形,想必大家都測量過,總的來說,無非下面兩種: 不論是連續模式,還是斷續模式,都會有上升尖峰或者是下降尖峰,無非是大小的問題。 ……
MOS管怎么用?從認識米勒效應、開關損耗、參數匹配及選型開始
  • 更新日期: 2022-03-18
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?MOS管即場效應管(MOSFET),屬于壓控型,是一種應用非常廣泛的功率型開關元件,在開關電源、逆變器、直流電機驅動器等設備中很常見,是電力電子的核心元件。 ?MOS管有N溝道和P溝道之分,N溝道相當于NPN的三極管;P溝道相當于PNP的三極管。實際設計及應用中,N溝道MOS管占絕大多數,所以下面以N溝道MOS……
最強總結:27個模擬電路基礎知識!
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 1732
01基爾霍夫定理的內容是什么? 基爾霍夫電流定律:在電路任一節點,流入、流出該節點電流的代數和為零。 基爾霍夫電壓定律:在電路中的任一閉合電路,電壓的代數和為零。 0 2 戴維南定理 一個含獨立源、線性電阻和受控源的二端電路 ,對其兩個端子來說都可等效為一個理想電壓源串聯內阻的……
超強半導體
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 瀏覽次數: 2166
作者: Gregg H. Jessen 在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中, 已故的萊斯特?F.伊斯曼(Lester F. East-man)和烏梅什?K. 米什拉(Umesh K.Mishra)談到了當時功率半導體界的一項大膽技術:氮化鎵(GaN)。對于強大耐用的射頻放大器……

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