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人民日報、衛報中文網、羊城網、騰訊網等主流媒體,轉發華強北宋仕強先生文章駁斥彭博社通訊社文章!英文版也被海外媒體轉載!
  • 更新日期: 2022-12-22
  • 瀏覽次數: 4601
近段時間,人民日報、羊城網、衛報中文網、騰訊網等主流媒體,紛紛轉發了署名為深圳華強北宋仕強先生的原創文章“駁彭博社文章《中國地下芯片市場吸引了絕望的汽車廠》”。人民日報羊城網名為《華強北商業專家宋仕強駁彭博社“中國地下芯片不實報道”》,衛報中文網名為《宋仕強駁彭博社文章“中國地下芯片市場吸引了絕望的汽車廠”》,排在了頭……
中國50家最強半導體獨角獸誕生!
  • 更新日期: 2022-12-21
  • 瀏覽次數: 2478
據新財富統計,截至2022年11月,國內已涌現出50家半導體獨角獸,產業鏈上中下游分別貢獻9、33、8家,總估值高達8584億元。睿力集成、紫光展銳、中芯集成分列前三,估值分別高達800億、600億、500億元。 50家獨角獸中,芯片設計公司共25家,占據半壁江山。其中,GPU、車規MCU等領域分別誕生了8家、5……
MOS管的存放條件
  • 更新日期: 2022-12-21
  • 瀏覽次數: 3578
當將MOS管采購回來后我們該如何進行存放才能保障產品不被氧化,其使用時才不受影響?
關于可控硅基本概念分享
  • 更新日期: 2022-12-20
  • 瀏覽次數: 1951
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR。它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。
漢天下推出高性能B1+B3四工器,為本土射頻前端模組化筑地基
  • 更新日期: 2022-12-19
  • 瀏覽次數: 2137
進入2022年后,全球消費電子市場持續低迷,市場空間進一步收縮,本土射頻前端行業深陷低端化內卷的競爭泥淖,向模組化、高端化市場進階的需求日益迫切。隨著本土射頻廠商在高性能濾波器、雙工器/多工器上取得突破,突圍的曙光正愈加清晰。 作為深耕濾波器領域已逾十年的本……
清華大學錢鶴、吳華強教授團隊在第68屆國際電子器件大會(IEDM 2022)發表4篇存算一體技術領域學術論文
  • 更新日期: 2022-12-19
  • 瀏覽次數: 3045
近日,第68屆國際電子器件大會(IEDM 2022)在美國舊金山召開,其中清華大學集成電路學院錢鶴、吳華強團隊發表了4篇學術論文,報道了存算一體技術領域的最新進展。四篇文章涉及單片三維集成混合存算一體架構、存算一體芯片的多尺度熱建模、基于存算一體的同態加密和存算通一體多個前沿領域。其中博士生安然和博士生李怡均發表的基于……
張俊杰先生為金航標kinghelm/薩科微slkor全員培訓精益生產之流程管理
  • 更新日期: 2022-12-19
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2022年12月10日,在金航標/薩科微新總部神舟電腦大廈氣派的公司會議室,東莞精益生產研究會執行會長張俊杰為全體員工進行了主題為“如何優化和規范流程管理”的培訓。金航標www.kinghelm.com.cn薩科微www.slkoric.com總經理宋仕強說,金航標Kinghelm薩科微Slkor公司在做好新品研發和控……
1萬億元!傳聞中國補貼芯片企業
  • 更新日期: 2022-12-19
  • 瀏覽次數: 1949
美國同盟友商討收緊對華晶片出口后,傳聞中國準備為半導體業推出總值超過人民幣1萬億元,約相等于1430億美元的援助配套。 路透社引述的消息說,北京計劃分五年,推出這個歷來最大的援助配套之一。配套將以補貼和稅務減免措施為主,以推動國內的半導體生產和研發活動。有關計劃最早可在明年第一季推行。這引起了美國一些議員對中國晶……
SiC器件設計、制造、襯底及外延供應商名單
  • 更新日期: 2022-12-19
  • 瀏覽次數: 2589
在第三代半導體材料中,SiC是商用化規模最大的一種,其在射頻、功率器件領域應用廣泛,市場增長空間廣闊。SiC產業鏈主要包括襯底、外延、器件設計、器件制造、封測等環節,為了更好地了解SiC產業鏈各環節的商業化應用情況,我司近期匯集多方資源,全面整理了有關SiC產業鏈相關的供應商情況。 繼上期……
MOS管基礎知識
  • 更新日期: 2022-12-19
  • 瀏覽次數: 9353
MOS管(也稱場效應管),是MOSFET的縮寫。場效應管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應管。
IGBT的應用范圍是多少?可應用在哪些領域?
  • 更新日期: 2022-12-15
  • 瀏覽次數: 3328
IGBT的應用范圍是多少?可應用在哪些領域? 功率半導體的應用范圍 功率半導體分為以元件單位構成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由該基本部件組成的模塊 (Module)。IGBT也同樣存在分立式元器件和模塊之分,并分別有其適合的應用范圍。下圖所示為以IGBT為主的功率半導體在開關(工作)頻率與輸出電容關系圖中的應用范圍。 【功率半導體的應用范圍】 IGBT的應用領域
“新能源之王”殺入最火賽道!宏光半導體迎GaN快速成長窗口
  • 更新日期: 2022-12-10
  • 瀏覽次數: 2176
當前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代半導體市場發展迅猛,憑借其擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢,搶灘節能減碳、汽車電子化等熱潮商機,市況逆勢大好。資本涌入,許多企業欲捕捉機遇,藉此搶占此市場先機。 ……

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