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- 更新日期: 2022-03-17
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Yole Development 的市場調查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用的需求一直推動著結溫升高,目前已達到150℃。 隨著第三代寬禁帶半導體器件(如SiC)出現以及日趨成熟和全面商業化普及,其獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從目前的150℃邁向175℃,未來將進軍200℃。 借助于SiC的獨特高溫特性和低開關損耗優勢,這一結溫不斷提升的趨勢將大大改變電力系統的設計格局。這些典型的、面向未來的高溫、高功率密度應用,包括深度整合的電動汽車動力總成、多電和全電飛機乃至電動飛機