我一直在收集和整理半導(dǎo)體領(lǐng)域各個(gè)環(huán)節(jié)的分類信息，其中半導(dǎo)體器件是最重要也是最復(fù)雜的部分。所以數(shù)據(jù)也在不斷更新。最近打算發(fā)布最新的版本 半導(dǎo)體器件一般分為4大類： 集成電路/Integrated Circuit ……

最近我這里新來一個(gè)交大的實(shí)習(xí)生，幫助我整理半導(dǎo)體晶圓襯底供應(yīng)商的數(shù)據(jù)。作為鍛煉，他在我的指導(dǎo)下，寫了一篇日本SUMCO的公司研究報(bào)告。這篇文章基本都是他原創(chuàng)的，我只是幫忙提醒他做了一些細(xì)節(jié)修改。該文較詳細(xì)整理和描述了SUMCO公司的基本信息，對(duì)于有興趣了解這個(gè)行業(yè)的朋友而言是非常有幫助的。歡迎大家參考和收藏 ……

前言： 本文作者是一位上海交通大學(xué)的碩士在校生。我之前拜訪某券商分析師朋友的時(shí)候，他正好在那里實(shí)習(xí)，才偶然認(rèn)識(shí)。小伙子非常機(jī)靈能干，所以我也拜托他幫忙整理一些大硅片行業(yè)的數(shù)據(jù)。恰逢最近環(huán)球晶圓宣布要收購(gòu)德國(guó)Siltronic，我便順便讓他收集整理環(huán)球晶圓公司的歷史沿革，并寫成文章 這篇文章基本都是他原創(chuàng)的，我只是幫……

最近，dramexchange公布了全球DRAM和NAND芯片的最新市場(chǎng)數(shù)據(jù)。根據(jù)這些數(shù)據(jù)，我進(jìn)行了一定整理，供大家參考 2020Q4，全球DRAM市場(chǎng)為176.5億美金，較去年同期增長(zhǎng)13.6%；全年670.4億美金，較去年同期增長(zhǎng)7.86%； 同期，全球NAND市場(chǎng)為141.0億美金，較去年同期……

本周在經(jīng)歷春節(jié)后連續(xù)兩周的大漲后終于迎來歷史罕見的大跌。158支股票中僅9支上漲，總市值3.85萬(wàn)億人民幣，較前期下跌6.20%： 本周相對(duì)前期漲幅超過10%的股票只有一支巨化股份(600160.SH)，也是唯一一支超過5%的； 本周相對(duì)前期跌幅超過10%的股票有22支，超過5%的股票高達(dá)101支； ……

我之前發(fā)布過全球第二代和第三代化合物半導(dǎo)體晶圓襯底、外延制造商的名單，獲得不少行業(yè)朋友的反饋和指點(diǎn)，加上我最近一段時(shí)間的收集整理，目前名單又有不少更新，所以特地發(fā)一個(gè)新版本供大家參考 這次，我把第二代、第三代（寬禁帶）材料制造商的名單放到一起，方便讀者完整了解 ……

多年以來，基于硅襯底的邏輯集成電路制造工藝技術(shù)一直按照摩爾定律不斷發(fā)展演進(jìn)。目前TSMC的3nm工藝也即將投入量產(chǎn) 對(duì)于多數(shù)人而言，代表半導(dǎo)體工藝水平的線寬尺寸自然耳熟能詳，但是隨著電路圖形的不斷縮小，各種新的技術(shù)和材料、甚至晶體管本身的結(jié)構(gòu)也發(fā)生著變化。為了方便大家參考了解，我特地查找資料并咨詢行業(yè)專家，整理了……

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)數(shù)據(jù)： 根據(jù)美國(guó)SIA公布的最新數(shù)據(jù)，全球4月份半導(dǎo)體器件市場(chǎng)高達(dá)418億美金，較去年同期上漲21.7%，其中最大漲幅還是來自中國(guó)大陸 從下圖可見，最新一月的銷售已經(jīng)接近動(dòng)態(tài)分布范圍的上限，目前看來上漲趨勢(shì)還會(huì)持續(xù) 晶圓代工廠數(shù)據(jù)： 以下是TSMC、……

Ø“整流橋+TVS”集成封裝=TVS橋 即把不同規(guī)格TVS（瞬態(tài)二極管）集成在整流橋里的一種新型器件。 TVS橋的特點(diǎn)： ……

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊的傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快20倍，并且可以為尖端的快速充電器產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)三倍的功率提升，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品。在相同大小的情況下，輸出功率增加三倍。 正是由于這些性能優(yōu)勢(shì)，GaN在消費(fèi)快速充電源市場(chǎng)中具有廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)……

人工智能（AI）、邊緣運(yùn)算與萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)，帶來無所不在的感測(cè)、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機(jī)上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運(yùn)用，在性能上出現(xiàn)重大突破。 5G通訊頻率高，……

SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長(zhǎng)力的材料，預(yù)計(jì)到2028年市場(chǎng)增長(zhǎng)5倍。 SiC目前有兩大應(yīng)用市場(chǎng)，一是電動(dòng)車逆變器、充電樁、太陽(yáng)能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT，二是以SiC基板（Substrate，大陸多稱之為襯底，也有稱之為blankraw wafer，空白晶圓）承載GaN做5G基地臺(tái)的RF功率放大。 SiC和GaN都是市場(chǎng)備受矚目的第三代半導(dǎo)體材料，第一代是硅，第二代則是砷化鎵。第三代又稱寬帶隙半導(dǎo)體。其最主要應(yīng)用就是功率電子領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體兩個(gè)最重要參數(shù)