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薩科微黃德俊:我與推廣部的四年時光
  • 更新日期: 2024-09-21
  • 瀏覽次數: 1771
隨著互聯網技術的飛速發展,傳統商業模式和經營理念正經歷著前所未有的轉變,企業不再局限于時空和地域限制,而是能夠充分借助互聯網平臺,將品牌、產品和服務全天候推向全球每一個角落,我們金航標電子公司和薩科微半導體就是這方面的佼佼者。作為薩科微slkor老員工和推廣部主管,從薩科微slkor(www.slkormicro.co……
金航標和薩科微「成就客戶——關鍵時刻MOT」培訓開啟(薩科微9月21日芯聞)
  • 更新日期: 2024-09-21
  • 瀏覽次數: 1415
金航標和薩科微「成就客戶——關鍵時刻MOT」培訓開啟 國際: 1、位于美國亞利桑那州的臺積電 Fab 21 晶圓廠已經開始投入運營,第一階段試產適用于 iPhone 14 Pro 的 A16芯片。 2、TrendForce預計晶圓代工市場將在 2025 年復蘇,預計年增長率為 20%,……
阿里國際發布最新開源多模態大模型Ovis (薩科微9月20日每日芯聞)
  • 更新日期: 2024-09-20
  • 瀏覽次數: 975
社科院金融所調研人員和薩科微總經理宋仕強(中) 國際: 1、Imagination發布新款GPU IP,在汽車功能安全方面更進一步。 2、國五角大樓將向全美33個芯片研究項目撥款2.69億美元,這是旨在支持軍方半導體研究的第二次撥款。 3、三星計劃今年年底重組半導體代工部門。 4、英偉達再……
金航標客戶經理曾慶容:開心會“芯”真英雄
  • 更新日期: 2024-09-20
  • 瀏覽次數: 1616
金航標客戶經理曾慶容 “以結果論英雄”,是金航標(www.kinghelm.net)和薩科微總經理宋仕強、金航標副總程玉潔經常強調的,更被金航標客戶經理曾慶容奉為圭臬,曾慶容以此激勵自己不斷創造新紀錄,如:金航標2023年十一國慶征文活動期間,因他的原創文章《保持初心、砥礪前行》被評為最優,他獲得公司獎勵……
金航標/薩科微每周之星陳令
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1311
2024年09月18日到2024年09月21日,金航標(www.kinghelm.net)/薩科微(www.slkoric.com)“每周之星”經過領導和同事們評比,獲獎的是金航標財務部會計陳令,在最近一周工作中,勇于承擔責任,踏實肯干,以完成公司業績為目標導向的工作精神,獲得公司領導和同事的一致好評,現予以公告嘉獎一……
電子元器件的下一站是出海?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 932
謝謝9位大佬從廣州、深圳趕來東莞松山湖交流,同時也參加了阿里的電子元件出海培訓,分享一下紀要: 1、中低端電子產業向東南亞等轉移的趨勢 歐美→日本、韓國和中國臺灣→中國大陸→東南亞等。最近5年,由于東南亞具備人口紅利、勞動力成本、巨大的需求等優勢,中低端的電子產業逐漸從中國大陸轉移到越南等東南亞國家。下面以……
深圳有哪些芯片設計公司?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 950
截至2022年底,深圳合計有587家IC企業,其中IC設計企業390家,晶圓制造企業7家,封測企業70家,設備企業79家,材料企業為41家,主要集中在南山和龍崗等。2022年深圳國產IC設計企業產值約724億元,僅次于上海1350億元、北京846億元。 圖:IC設計行業產值城市排名,來自清華魏少軍老師 ……
MOS管的核心參數解析(導通電阻與柵極電荷)
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1313
功率管的最主要的應用是控制電流的通斷,即在一定的電壓條件下對流經器件的電流進行開關控制。首先,在可以承受的擊穿電壓的前提下(即器件的工作電壓平臺),器件導通電阻越低,其導通損耗就越低。其次,器件在開關狀態間切換時,柵極電荷越小,器件的開關速度就越快,其動態損耗就越低。 圖:MOS管結構 對于功率MO……
半導體設備有哪些卡脖子的核心零部件?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 803
薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環節。薄膜沉積技術是以各類適當化學反應源在外加能量(包括熱、光、等離子體等)的驅動下激活,將由此形成的原子、離子、活性反應基團等在襯底表面進行吸附,并在適當的位置發生化學反應或聚結,漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質、或半導體材料薄膜。芯片是微型結構體,其內部結構是3D立體式形態,襯……
CMP:半導體制造工藝的平滑藝術
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1405
1、CMP工藝簡介 CMP(Chemical Mechanical Polishing)化學機械拋光,是一個將晶圓表面打磨得光滑平整的過程。想象您在打磨一塊寶石,除了手工的磨削,您還往上滴幾滴特制的藥劑,使其快變得光滑,這就是CMP工藝的縮影,它通過化學反應和機械力的配合,將晶圓表磨削到所需的平整度。 ……
MOS管參數解析及國內外大廠技術對比
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1157
MOSFET的單位面積導通電阻和優值系數(FOM)參數代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET廠商產品參數展示的關鍵指標,也是體現MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。 通常來說,MOS管的單位面積導通電阻值和優值系數值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關注優值系數,單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關系,因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。 單位面積導通電阻(Ronsp),主要用于衡量功率器件導通狀態下,
第三代半導體碳化硅襯底分類、技術指標、生長工藝、產業鏈、下游應用等解析
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數: 1239
1、第三代半導體特性 (1)碳化硅 根據《中國戰略性新興產業:新材料(第三代半導體材料)》,與硅相比,碳化硅擁有更為優越的電氣特性: ①耐高壓:擊穿電場強度大,是硅的10倍,用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度,并大大降低器件的導通損耗。 ②耐高溫:半導體器件在較高的溫度下……

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