科銳（Cree, Inc., 美國納斯達(dá)克上市代碼：CREE）憑借旗下 Wolfspeed 業(yè)務(wù)，在全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域居于領(lǐng)先地位。公司于近日宣布了與 MaxLinear, Inc. （美國紐約證券交易所上市代碼：MXL）的成功合作。MaxLinear 是射頻（RF）、模擬、數(shù)字和混合信號集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商……

天眼查App顯示，近日，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司發(fā)生工商變更，新增股東華為關(guān)聯(lián)投資機(jī)構(gòu)深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）等；注冊資本由約9027萬增至約9770萬，增幅超8%。 據(jù)天域官網(wǎng)信息，天域(TYSiC)成立于2009年。它是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的……

©?資本偵探原創(chuàng) 作者 |張嘉豪 全球范圍的缺芯潮仍在繼續(xù)。汽車制造業(yè)、混凝土行業(yè)、電子產(chǎn)品制造業(yè)……無一不遭遇嚴(yán)重影響。 盡管臺積電、英特爾和三星都在大舉投資擴(kuò)建和建設(shè)新的芯片代工廠。但正如英特爾首席執(zhí)行官蓋爾辛格指出的，這些投資需要時間，至少需要幾個月乃至幾年才能投產(chǎn)。……

日前，集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體、芯片及數(shù)字電源產(chǎn)品供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL) 推出采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM0……

【新智元導(dǎo)讀】傳統(tǒng)集成電路設(shè)計費(fèi)時又費(fèi)力，能否用人工智能來提高工作效率？在今年的集成固態(tài)電路會議上，包括Google AI負(fù)責(zé)人Jeff Dean在內(nèi)的四位大佬闡述了AI的應(yīng)用對處理器、量子計算、結(jié)構(gòu)創(chuàng)新等的重大影響。「新智元急聘主筆、編輯、運(yùn)營經(jīng)理、客戶經(jīng)理，添加HR微信（Dr-wly）或掃描文末二維碼了解詳情。」 ……

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，性能各方面都要優(yōu)于Si基材料，與傳統(tǒng)基于Si半導(dǎo)體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件 具有開關(guān)速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強(qiáng)等優(yōu)點，更能滿足未來電力電子技術(shù)的發(fā)展要求。 上海 瞻芯電子 經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅(qū)動芯片 的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應(yīng)用進(jìn)行說明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產(chǎn)品。 1. 上海瞻芯電子的SiC

由下而上，再由上而下——芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中遇到的問題，中國交給發(fā)展產(chǎn)業(yè)去解決。中國正在研究下一個五年中新一代的芯片技術(shù)的開發(fā)，并有望投資萬億美元以減少對美國技術(shù)的依賴。 上個月，國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第十八次會議在北京召開，研究“十四五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃編制工作。會議還專題討論了面向后摩爾時代的集成電……

據(jù)報道，受臺積電、三星等代工廠積極擴(kuò)產(chǎn)疊加技術(shù)路線演進(jìn)的影響，半導(dǎo)體設(shè)備需求大幅增長。SEMI近日在其全球半導(dǎo)體設(shè)備市場統(tǒng)計（WWSEMS）報告中宣布，2021年第一季度全球半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額同比增長51%，比上一季度增長21%，達(dá)到236億美元。我們認(rèn)為受供需結(jié)構(gòu)向好及行業(yè)景氣度上行的推動，產(chǎn)業(yè)鏈公司將持續(xù)受益。 ……

7月2日日媒消息，日本東芝集團(tuán)新任總裁 Hironori Kawagoe 宣布，公司計劃在2025財年將其產(chǎn)量提高到2021財年的近兩倍。 著眼于不斷增長的半導(dǎo)體需求，該公司將增加巖手工廠（北上市）和大分工廠（大分市）的生產(chǎn)設(shè)備。根據(jù)該計劃，該公司將利用這兩個地點的制造大樓的空置空間，擴(kuò)大其生產(chǎn)設(shè)備，用于合同生產(chǎn)。 ……

MOS管外形特別像三極管，作為一個半導(dǎo)體的器件，也是在半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，作為大功率的半導(dǎo)體領(lǐng)域，這種器件非常的復(fù)雜，并且應(yīng)用非常的廣泛，作為硬件開發(fā)者在電路上設(shè)計，基本上是用到MOS管是比較多的。 MOS管類似三極管能夠看出這兩個在偏置情況下注入電流，能夠形成通路，利用電場能夠溝通DS之間，所以在電壓不足的時候會形成一個中心靠近區(qū)域，讓三級提供的正向電壓P區(qū)勺子并且會形成一個反型層，這樣DS之間就打通了，這樣的半導(dǎo)體作為最基礎(chǔ)的器件，可以看出在各種電路中有不可替代的作用，雖然它的結(jié)構(gòu)比較簡

隨著如今電子市場的更迭頻率越來越快，不少剛剛面世的產(chǎn)品在很短的時間內(nèi)又被替代。在這種大環(huán)境的驅(qū)使下，技術(shù)化的科技完善的速度也在不斷的加快。隨著場效應(yīng)管的出現(xiàn)，這一電子元件在市場中穩(wěn)定的展現(xiàn)了其自身的技術(shù)優(yōu)勢，除去動態(tài)范圍大等特點，這一電子元件還具有什么技能優(yōu)勢呢？ 說到 場效應(yīng)管這一電子元件，我們首先想到的無非就……

2005年，II-VI的碳化硅襯底開發(fā)還很緩慢，但是到了2020年，II-VI的半絕緣型SiC襯底營收就超越了Cree。Yole報告顯示，2020年II-VI的市占率從2019年的27%增至35%，而Cree則從42%降至33%。 今天，就跟大家聊聊，II-VI是如何趕超Cree？II-VI的半絕……