晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同： 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……

減薄晶片有四種主要方法，（1）機(jī)械研磨，（2）化學(xué)機(jī)械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學(xué)蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。 打磨 機(jī)械研磨 機(jī)械（常規(guī)）磨削–該工……

IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構(gòu)成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實(shí)現(xiàn)電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發(fā)展，許多金屬鍵合線被廣泛的應(yīng)用到IGBT功率模塊互連技術(shù)中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術(shù)中常用材料的性能。 表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是

摘 要 ……

描述 被動(dòng)元器件又稱為無源器件，是指不影響信號(hào)基本特征，僅令訊號(hào)通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動(dòng)元件，區(qū)別于主動(dòng)元件。而國內(nèi)此前則稱無源器件和有源器件。被動(dòng)元件內(nèi)無需電源驅(qū)動(dòng)且自身不耗電，僅通過輸入信號(hào)即可作出放大，震蕩和計(jì)算的反應(yīng)，而不需……

高壓上下電管理 高壓上電管理：BMS進(jìn)行自檢狀態(tài)，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負(fù)、預(yù)充繼電器進(jìn)行預(yù)充，當(dāng)檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預(yù)充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時(shí)間后，斷開預(yù)充繼電器，高壓上電完成，進(jìn)入BMS工作模式。KL15為OFF狀態(tài)，或者……

摘要 與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量，其熱測試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發(fā)與熱界面材料選型，同時(shí)對(duì)比研究模塊壓裝方式，開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結(jié)構(gòu)熱測試方法，可實(shí)現(xiàn)單面熱阻測……

MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管

根據(jù) 50 歐姆阻抗線寬進(jìn)行布線，盡量從焊盤中心出線，線成直線，盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線，推薦在電容或電阻兩邊進(jìn)行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的，請(qǐng)嚴(yán) 格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如，一個(gè)放大管與電容 之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做……

本文刊載于《中國科學(xué)院院刊》2023年第2期“科學(xué)觀察” 李樹深* 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 半導(dǎo)體……

一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個(gè)電子市場上得到更廣泛的采用。 　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區(qū)別，這將有助于我們了解何時(shí)最有效地應(yīng)用這些化合物……

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀(jì)80年代初發(fā)明、開發(fā)并商業(yè)化。器件結(jié)構(gòu)（圖4左側(cè)）可以設(shè)計(jì)為在第一象限和第三象限（對(duì)稱IGBT）的結(jié)J1和J2處阻斷電壓，或者僅在第一象限（不對(duì)稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創(chuàng)建MOS溝道來工作，該偏置將基極驅(qū)動(dòng)電流輸送到內(nèi)部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……