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SiC外延工藝基本介紹
  • 更新日期: 2023-02-20
  • 瀏覽次數(shù): 3017
外延層是在晶圓的基礎上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。 由于碳化硅功率……
十大步驟詳解芯片光刻的流程
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 4690
在集成電路的制造過程中,有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術可以追溯到190年以前,1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后,開始試圖復制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時……
碳化硅功率器件技術可靠性!
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 1830
前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的……
IGBT失效原因及保護方法
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 4511
01 關于 IGBT ……
SiC MOSFET學習筆記5:車規(guī)級功率半導體模塊可靠性標準
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 4929
功率半導體的車規(guī)可靠性標準比較多,主要有美國汽車電子委員會的AEC標準(主要是針對晶圓)和歐洲電力電子中心的AQG324(針對模塊)。今天主要復習AQG324這個標準。 先討論一個工程邏輯:任何一個新產(chǎn)品,在設計之初就應該考慮其使用的可靠性,設計有缺陷,后期工藝上是很難彌補的,因此,當可靠性測試出現(xiàn)問題時,首先要……
DC-DC電路的環(huán)路補償?shù)恼{(diào)試經(jīng)驗
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 2209
1、A產(chǎn)品的DC-DC電路受干擾掉電 DC-DC電路設計采用LMR14030芯片實現(xiàn)交流24V轉(zhuǎn)換成直流5V,給GSM模塊供電,基中LMR14030芯片的EN腳連接一個開關,用于控制電路開關的功能,在小批量生產(chǎn)測試時發(fā)現(xiàn),電路板未安裝外殼的情況下工作正常,安裝外殼后,測試時發(fā)現(xiàn)電源會在GSM發(fā)送數(shù)據(jù)時發(fā)生掉……
電源芯片的EN引腳應該如何設計?
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 2691
電機控制板的24V電源在給電機供電的同時也通過DCDC輸出12V給其他電路供電。在沒有電池時,電機發(fā)電為控制板供電,而電機的轉(zhuǎn)動并非是勻速的,產(chǎn)生了波動較大的電壓,如下圖1所示,黃色線為電機反向發(fā)電電壓,綠色則為MP2451輸出的電壓。 圖1 電機發(fā)電曲線和DCDC的輸出曲線 由上圖可以看出,電機的……
光伏微逆變器應用中的拓撲及工作原理分析
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 2315
光伏逆變器中使用典型的反激變換器作為DC/DC部分的拓撲,本文簡要分析反激變換器在光伏微逆中的應用。 一.反激變換器的應用概要分析 反激變換器一般用于較小功率的降壓應用,典型來說低于幾百瓦左右,它具有較低的輸出電流。在光伏微逆變器應用中,反激變換器作為單極拓撲,它可以把20V-45VDC的PV電池電……
Chiplet對大陸半導體的戰(zhàn)略意義
  • 更新日期: 2023-02-14
  • 瀏覽次數(shù): 2052
芯片升級的兩個永恒主題:性能、體積/面積。芯片技術的發(fā)展,推動著芯片朝著高性能和輕薄化兩個方向提升。而先進制程和先進封裝的進步,均能夠使得芯片向著高性能和輕薄化前進。面對美國的技術封裝,華為難以在全球化的先進制程中分一杯羹,手機、HPC等需要先進制程的芯片供應受到嚴重阻礙,亟需另辟蹊徑。而先進封裝/Chiplet等技術……
提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
  • 更新日期: 2023-02-02
  • 瀏覽次數(shù): 1504
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關注的,也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關注的,一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。 ……
模擬電路基礎學習(1)之半導體二極管及其基本電路
  • 更新日期: 2023-02-02
  • 瀏覽次數(shù): 1500
模擬電路學習先從半導體開始。 ……
Google、Intel、騰訊等大廠相繼入局,RISC-V 終將徹改半導體行業(yè)!
  • 更新日期: 2023-02-02
  • 瀏覽次數(shù): 1604
2022年,對于略顯年輕的RISC-V行業(yè)來說,這是比較特殊的一年。 作為開源、精簡的計算機架構(gòu),它誕生于上個世紀,本世紀初發(fā)展到第五代,卻已經(jīng)隱隱有和PC領域的x86、移動端的ARM三足鼎立的趨勢。 過去,RISC-V的發(fā)展中,低端、MCU、IoT都是它在市場上的關鍵詞。作為它最早的參與者和支持者,我一直……

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