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芯片調(diào)測(cè)——ESD測(cè)試
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 瀏覽次數(shù): 7172
先來(lái)談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過(guò)度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的,會(huì)造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計(jì)和制造的頭號(hào)難題。 靜電,通常……
半導(dǎo)體器件的ESD測(cè)試帶電器件模型(CDM)及靜電敏感度分級(jí)
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 瀏覽次數(shù): 16346
一、ESD帶電器件模型 帶電器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測(cè)試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機(jī)器設(shè)備(Machine)帶電后對(duì)元器件放電,而 CDM模型則是……
功率半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)筆記
  • 更新日期: 2022-11-21
  • 瀏覽次數(shù): 2750
第一代半導(dǎo)體Si基 二極管 簡(jiǎn)介:?jiǎn)蝹€(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開(kāi)兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無(wú)外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用:各種電子設(shè)備,工業(yè)設(shè)備。 晶體管:BJT 簡(jiǎn)介:背靠背的PN結(jié)結(jié)構(gòu),通過(guò)電流驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)線(xiàn)性放大功能,具有放大工作區(qū)域,……
2022英特爾® FPGA中國(guó)技術(shù)周——11月14日技術(shù)日
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 瀏覽次數(shù): 1649
11月14日至18日,2022英特爾?FPGA中國(guó)技術(shù)周(IFTD)將與全球各市場(chǎng)同步線(xiàn)上舉辦,來(lái)自國(guó)內(nèi)外的技術(shù)專(zhuān)家將在五天的時(shí)間里,從產(chǎn)品、軟件開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)、云計(jì)算、嵌入式、網(wǎng)絡(luò)五大主題領(lǐng)域展開(kāi)技術(shù)詳解。每日一主題、每天兩小時(shí),通過(guò)二十余場(chǎng)主題演講及技術(shù)方案分享,助您全覽英特爾?FPGA產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢(shì)和落地實(shí)踐方案。 ……
光模塊的CFP和OSFP封裝
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 瀏覽次數(shù): 6391
CFP(C form-factor pluggable)封裝最早由CFP MSA協(xié)會(huì)發(fā)布,用于支持早期的100G光模塊(”C”在拉丁字母中代表100)。CFP模塊尺寸較大,可以提供和主機(jī)間10*10G或者4*25G的電接口連接,支持最大功耗24W。后來(lái)隨著芯片技術(shù)的發(fā)展,又推出了更小封裝尺寸和更高性能的CFP2(12W)和CFP4(6W)以及CFP8(24W)標(biāo)準(zhǔn)。CFP8封裝于2017年推出,是為了支持早期的400G光模塊,其可以支持16路25G的NRZ信號(hào)以實(shí)現(xiàn)400G傳輸,但逐漸被更小的OSFP和Q
對(duì)話(huà)陽(yáng)光電源副總裁李順:逆變技術(shù)“下半場(chǎng)”路走何方?
  • 更新日期: 2022-11-12
  • 瀏覽次數(shù): 1759
今年以來(lái),各省市漸次下發(fā)的光伏指標(biāo)規(guī)模已達(dá)近百GW,市場(chǎng)放量的同時(shí)也加速了逆變器企業(yè)新一輪競(jìng)爭(zhēng)的到來(lái)。 根據(jù)最新資料統(tǒng)計(jì),華電、大唐、國(guó)家電投等央國(guó)企先后啟動(dòng)了超80GW的逆變器招標(biāo),已公布中標(biāo)結(jié)果的企業(yè)報(bào)價(jià)只差毫厘。對(duì)于漸漸走出“價(jià)格戰(zhàn)”泥潭的逆變器企業(yè),新一輪競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)又在哪里? ……
提高芯片性能的三個(gè)途徑,工程師關(guān)注后摩爾時(shí)代
  • 更新日期: 2022-11-10
  • 瀏覽次數(shù): 2979
隨著摩爾定律推進(jìn)并達(dá)到物理極限,基于新原理、新材料和新結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件引發(fā)集成電路工藝變革,后摩爾時(shí)代已然到來(lái)。后摩爾時(shí)代,芯片技術(shù)發(fā)展的基本點(diǎn):一是發(fā)展不依賴(lài)于特征尺寸不斷微縮的特色工藝,以此擴(kuò)展集成電路芯片功能。二是將不同功能的芯片和元器件組裝在一起封裝,實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成。三是通過(guò)新途徑來(lái)滿(mǎn)足人工智能算法和算力提升。我……
倪光南院士:RISC-V是“中國(guó)芯”掌握主動(dòng)權(quán)的重要機(jī)遇
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1889
在2022 RISC-V中國(guó)峰會(huì)上,阿里平頭哥發(fā)布首個(gè)高性能RISC-V芯片平臺(tái)“無(wú)劍600”及SoC原型“曳影1520”。中科院院士、計(jì)算機(jī)專(zhuān)家倪光南表示,RISC-V將發(fā)展為世界主流CPU架構(gòu)之一,是我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)掌握主動(dòng)權(quán)的重要機(jī)遇。 近年來(lái),RISC-……
ARM與RISC-V之爭(zhēng)
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1879
從2010年夏天開(kāi)始,伯克利研究團(tuán)隊(duì)大約花了四年的時(shí)間,設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)了一套完整的新的指令集。這個(gè)新的指令集叫做RISC-V,指令集從2014年正式發(fā)布之初就受到多方質(zhì)疑,到2017年印度政府表示將大力資助基于RISC-V的處理器項(xiàng)目,使RISC-V成為了印度的事實(shí)國(guó)家指令集。再到今年國(guó)內(nèi)從國(guó)家政策層面對(duì)于RISC-V進(jìn)行……
超越摩爾的EDA軟件四大金剛
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1664
EDA軟件四大金剛 芯片進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)之前,需要進(jìn)行“試生產(chǎn)”,也就是流片,對(duì)完成的設(shè)計(jì)電路先生產(chǎn)幾片、幾十片。流片是一個(gè)極其昂貴的過(guò)程。 在14納米制程的時(shí)代,流片一次的費(fèi)用大約需要300萬(wàn)美元。而到了7納米,流片費(fèi)用則要高達(dá)3000萬(wàn)美元。為了防止冒失的浪費(fèi),需要通過(guò)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件上進(jìn)行仿真測(cè)試。即使所有設(shè)計(jì)工具的成本都加起來(lái),也抵不上一次流片的費(fèi)用
無(wú)刷電機(jī)控制基礎(chǔ)(1)——結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路
  • 更新日期: 2022-11-09
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無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。 我們知道,一般的有刷電機(jī)的定子是永磁體,轉(zhuǎn)子是電磁鐵。轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),通過(guò)電刷來(lái)自動(dòng)切換轉(zhuǎn)子電磁鐵的中的電流方向,使得轉(zhuǎn)子始終受到轉(zhuǎn)動(dòng)力矩的作用,得以旋轉(zhuǎn)起來(lái)。 而無(wú)刷電機(jī),轉(zhuǎn)子是永磁體,定子是電磁鐵,使用電子換向器器來(lái)切換電磁鐵中的電流方法。由于它沒(méi)有機(jī)械式的電刷,所以……
美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)呼吁投資半導(dǎo)體研發(fā)的5個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 瀏覽次數(shù): 1626
片本土制造、成熟芯片生產(chǎn)以及半導(dǎo)體研發(fā);韓國(guó)加強(qiáng)合作,將建立“K-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶”,旨在建立集半導(dǎo)體生產(chǎn)、原材料、零部件、設(shè)備和尖端設(shè)備、設(shè)計(jì)等為一體的高效產(chǎn)業(yè)集群;中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)提供行業(yè)指導(dǎo),通過(guò)評(píng)估整體半導(dǎo)體研發(fā)及其對(duì)產(chǎn)業(yè)需求的覆蓋面來(lái)支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展,避免投資平均化或關(guān)鍵領(lǐng)域經(jīng)費(fèi)投入不足等現(xiàn)象。與此同時(shí),2021年以來(lái),……

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